[发明专利]光刻胶掩模方法有效

专利信息
申请号: 200710177425.X 申请日: 2007-11-15
公开(公告)号: CN101435992A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 朴云峰;朴春培 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/004;H01L27/12;H01L21/027
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 光刻 胶掩模 方法
【权利要求书】:

1.一种形成光刻胶图案的方法,其特征在于,包括:

将敷掩板与基板贴合在一起;

在所述敷掩板的敷掩图案上涂敷光刻胶;

从基板一侧对所述光刻胶进行烘烤;

从基板上移开敷掩板,形成所需的光刻胶图案。

2.根据权利要求1所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,将敷掩 板与基板贴合在一起具体为:将形状和大小与所述基板相同的敷掩板紧密地 压合在所述基板上,同时通过对位标记使所述敷掩板和基板严格地对位。

3.根据权利要求1所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,在所述 敷掩板的敷掩图案上涂敷光刻胶具体为:采用直接涂敷方法或旋转涂敷方法 将光刻胶涂敷在所述敷掩板的敷掩图案上。

4.根据权利要求1所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,在所述 敷掩板的敷掩图案上涂敷光刻胶具体为:通过控制涂敷的光刻胶量,在所述 敷掩板的敷掩图案上涂敷厚度为1μm~5μm的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,从基板 一侧对所述光刻胶进行烘烤具体为:以80℃~160℃烘烤温度在基板一侧对 所述光刻胶进行烘烤。

6.根据权利要求5所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,对所述 光刻胶进行烘烤具体为:对所述光刻胶烘烤5秒~50秒。

7.根据权利要求1所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,所述光 刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。

8.根据权利要求1所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,所述敷 掩板为抗氧化、耐高温、耐腐蚀的非金属制品或金属合成制品。

9.根据权利要求8所述的形成光刻胶图案的方法,其特征在于,所述敷 掩板的敷掩图案采用平版印刷方法印制。

10.根据权利要求1~9中任一权利要求所述的形成光刻胶图案的方 法,其特征在于,所述光刻胶由以下重量百分比的原料组成:70%~75%的溶 解剂,19%~24%的高分子树脂,5%~6%的感光剂,1%~5%的添加剂。

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