[发明专利]掩模板及其制造方法有效
申请号: | 200710177426.4 | 申请日: | 2007-11-15 |
公开(公告)号: | CN101435990A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 周伟峰;金基用;郭建;明星 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/00;B32B37/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模板 及其 制造 方法 | ||
1.一种掩模板,包括基板,其特征在于:所述基板上设置有可掩模出第 一电路图案的第一偏振片和可掩模出第二电路图案的第二偏振片,所述第一 偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直;所述第一偏振片和第二偏振片之 间设有聚酰亚胺薄膜,使所述第一偏振片和第二偏振片分别位于所述聚酰亚 胺薄膜的两面,所述聚酰亚胺薄膜由涂覆的聚酰亚胺薄膜固化形成,所述聚 酰亚胺薄膜用于防止薄膜之间产生气泡。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于:所述基板上设有保护层。
3.一种掩模板制造方法,其特征在于包括:
在基板上粘贴第一偏振片;
在所述第一偏振片上形成第一电路图案;
在所述基板上粘贴第二偏振片,所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述 第一偏振片的偏振方向;
在所述第二偏振片上形成第二电路图案;
其中,在所述基板上粘贴第二偏振片具体为:在所述基板上涂覆聚酰亚 胺薄膜,在所述聚酰亚胺薄膜上粘贴第二偏振片;所述聚酰亚胺薄膜用于防 止薄膜之间产生气泡。
4.根据权利要求3所述的掩模板制造方法,其特征在于:在所述第一偏 振片上形成第一电路图案具体为:在所述第一偏振片上涂覆光刻胶,通过激 光扫描工艺曝光所述光刻胶,通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶,通过蚀刻 工艺蚀刻所述第一偏振片,形成第一电路图案,通过剥离工艺剥离剩余光刻 胶。
5.根据权利要求3所述的掩模板制造方法,其特征在于:在所述第一偏 振片上形成第一电路图案具体为:通过强脉冲激光扫描工艺灰化所述第一偏 振片,形成第一电路图案。
6.根据权利要求3所述的掩模板制造方法,其特征在于:在所述第二偏 振片上形成第二电路图案具体为:在所述第二偏振片上涂覆光刻胶,通过激 光扫描工艺曝光所述光刻胶,通过显影工艺去掉被曝光的光刻胶,通过蚀刻 工艺蚀刻所述第二偏振片,形成第二电路图案,通过剥离工艺剥离剩余光刻 胶。
7.根据权利要求3所述的掩模板制造方法,其特征在于:在所述第一偏 振片上形成第二电路图案具体为:通过强脉冲激光扫描工艺灰化所述第二偏 振片,形成第二电路图案。
8.根据权利要求3~7所述的任一掩模板制造方法,其特征在于:在所 述第二偏振片上形成第二电路图案之后还包括:在所述基板上涂覆保护层。
9.一种掩模板制造方法,其特征在于包括:
分别在基板和保护层上粘贴第一偏振片和第二偏振片,且所述第一偏振 片和第二偏振片的偏振方向相互垂直;
在所述第一偏振片上形成第一电路图案,在所述第二偏振片上形成第二 电路图案;
通过聚酰亚胺薄膜粘贴所述基板和保护层,所述聚酰亚胺薄膜设置于所 述第一偏振片和第二偏振片之间;所述聚酰亚胺薄膜用于防止薄膜之间产生 气泡。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备