[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其是一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，阵列基板结构以及制造工艺决定了其产品性能，由此可见，要想提高TFT-LCD的性能，要先要从阵列基板结构入手。

图18为现有技术TFT-LCD阵列基板结构的示意图，采用目前主流的5次掩模(5mask)或4次掩模(4mask)工艺制造。现有技术TFT-LCD阵列基板结构主要包括作为衬底的基板11，基板11上形成的栅电极12，在栅电极12上形成的栅绝缘层13、半导体层14和搀杂半导体层15，之上依次形成源漏电极层16、钝化层17和像素电极18，钝化层17覆盖整个基板11，位于漏电极的上方开设有钝化层过孔，像素电极18通过钝化层过孔与漏电极连接。其中栅电极作为有源元器件的开关；半导体层作为有源层，在栅电极通电后，有源层形成导电沟道；源漏电极层包括源电极和漏电极；搀杂半导体层的主要作用是为了减少金属的源漏电极层与半导体层之间的接触电阻。

由于现有技术上述阵列基板结构的导电沟道为水平结构形式，且导电沟道的长度比较大，打开电流比较低，因此造成TFT-LCD显示亮度差，响应速度低。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，有效解决现有阵列基板结构导电沟道长度大、打开电流低等技术缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板结构，包括：

基板，

至少一个栅扫描线，形成在所述基板上，至少一侧形成坡面区域；

栅绝缘层，形成在所述栅扫描线上，并覆盖整个基板；

数据电极，形成在所述栅绝缘层上，一侧边缘位于所述坡面区域之上：

第一搀杂半导体层，形成在所述数据电极上：

半导体层，形成在所述第一搀杂半导体层上，并覆盖所述栅扫描线的坡面区域；

第二搀杂半导体层，形成在所述半导体层上；

像素电极，形成在所述第二搀杂半导体层上，使所述像素电极与所述数据电极之间位于所述坡面区域上的半导体层形成竖直方向的导电沟道。

其中，所述栅扫描线上表面距基板表面的距离为，优选为

在上述阵列基板结构技术方案基础上，所述栅扫描线为二个，间隔形成在所述基板上，至少相对的一侧形成坡面区域。进一步地，所述数据电极设置在二个栅扫描线之间，数据电极二侧边缘分别位于二个栅扫描线的坡面区域之上。

为实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，包括：

本发明第二方面提供了一种TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成至少一个栅扫描线，所述栅扫描线的至少一侧边缘形成坡面区域；

步骤2、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层和金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成一侧边缘位于所述坡面区域之上的数据电极：

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积搀杂半导体薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成第一搀杂半导体层：

步骤4、在完成步骤3的基板上连续沉积半导体薄膜和搀杂半导体层薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成半导体层和第二搀杂半导体层，且所述半导体层覆盖所述坡面区域；

步骤5、在完成步骤4的基板上沉积像素电极薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成像素电极，使像素电极与数据电极之间位于所述坡面区域上的半导体层形成竖直方向的导电沟道。

其中，所述步骤1中栅扫描线的厚度为，优选为

在上述制造方法技术方案中，所述步骤1具体为：在基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，形成二个间隔设置的栅扫描线，二个栅扫描线中相对的一侧形成坡面区域。进一步地，所述步骤2具体为：在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层和金属薄膜，通过光刻工艺和蚀刻工艺，在所述二个栅扫描线之间形成数据电极，数据电极二侧边缘分别位于二个栅扫描线的坡面区域之上。