[发明专利]一种提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法无效
| 申请号： | 200710177706.5 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101148754A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 滕蛟;王乐;张金中;王东伟;于广华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 合金 薄膜 磁电 变化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10-5-5×10-5Pa，溅射时氩气气压为0.2-0.4Pa；平行于基片方向加有150-250Oe的磁场，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积钽Ta、镍铁NiFe、钽Ta，并将样品在真空退火炉中进行退火，其特征在于将CoFe纳米氧化层插入Ta/NiFe和NiFe/Ta界面，沉积的顺序依次是20-60钽Ta、10-50钴铁CoFe纳米氧化层、100-300镍铁Ni81Fe19、10-50钴铁CoFe纳米氧化层(NOL)和20-60钽Ta，退火温度为150-400℃，保温时间为60-180分钟。
2.如权利要求1所述的一种提高坡莫合金薄膜磁电阻变化率的方法，其特征是所述的CoFe纳米氧化层是在基片上先溅射一层10-50的CoFe，然后往真空室中通入纯度为99.99％的氧气，使CoFe氧化，氧化时氧气的气压为0.1-0.3Pa，氧化时间为10-50分钟。
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