[发明专利]一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料无效
| 申请号： | 200710177709.9 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101150171A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 于广华;张辉;丁雷;王乐;滕蛟;王立锦 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/08;H01L43/12;H01F10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 交换 偏置 磁电 传感器 元件 多层 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，其特征是Ta/NiCo/Ta多层膜中插入FeMn层制得Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜材料。
2.按照权利要求1所述的一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，其特征是所述的NiCo合金成分为Ni65Co35。
3.一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件，其特征是包含权利要求1或2所述的所述多层膜材料。
4.按照权利要求3所述的一种交换偏置型磁电阻传感器元件，其特征在于：通过磁控溅射在所述的Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜结构元件上沉积一层Au电极薄膜，厚度为10-2000nm，经光学曝光、离子刻蚀后制得Au电极层。
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