[发明专利]实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的方法无效
| 申请号： | 200710177790.0 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442025A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 单片 集成 gaas mhemt 方法 | ||
1、一种实现单片集成砷化镓基增强/耗尽型高电子迁移率晶体管E/D MHEMT的方法，其特征在于，该方法利用常规耗尽型高电子迁移率晶体管D MHEMT外延材料，在常规D MHEMT外延材料上依次进行如下工艺步骤：
源漏制作、台面隔离、增强栅光刻、增强型栅槽腐蚀、蒸发Pt/Ti/Pt/Au作为增强型栅金属、耗尽型栅光刻、耗尽型栅槽腐蚀、蒸发Ti/Pt/Au作为耗尽型栅金属、退火处理、金属布线和金属剥离，实现单片集成砷化镓基增强/耗尽型MHEMT。
2、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行源漏制作的步骤包括光刻、蒸发和合金，具体制备过程依次如下：
涂HMDS、匀胶AZ5214、前烘、1#源漏阳版光刻，曝光，反转90秒，泛曝光3分钟30秒，显影60秒、打底胶60秒、漂洗20秒，蒸发Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au，其中，Ni为4纳米，Ge为4纳米，Au为66纳米，Ge为8纳米，Ni为3纳米，Au为220纳米，然后进行丙酮剥离，并在280℃下合金1分钟。
3、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行台面隔离的步骤包括光刻和腐蚀，具体制备过程依次如下：
涂HMDS、匀胶9912、前烘、2#台面隔离阳版光刻，曝光，显影60秒、坚膜90秒、打底胶120秒、台面隔离湿法腐蚀直至漏电流降为纳安量级、测试隔离效果、去胶清洗。
4、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行增强栅光刻的步骤，具体制备过程依次如下：
涂HMDS、匀胶AZ5206、前烘、3#增强栅版光刻，曝光，反转90秒，泛曝光3分钟，显影50秒、清洗、吹干。
5、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行增强型栅槽腐蚀的步骤，具体制备过程依次如下：坚膜90秒、打底胶60秒、湿法腐蚀栅槽。
6、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述蒸发Pt/Ti/Pt/Au作为增强型栅金属的步骤，具体制备过程依次如下：漂洗、蒸发增强栅金属Pt/Ti/Pt/Au，其中，Pt为4纳米，Ti为50纳米，Pt为80纳米，Au为220纳米，然后进行丙酮剥离、去胶清洗。
7、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行耗尽型栅光刻的步骤，具体制备过程依次如下：
涂HMDS、匀胶AZ5206、前烘、4#增强栅版光刻，曝光，反转90秒，泛曝光3分钟，显影50秒、清洗、吹干。
8、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行耗尽型栅槽腐蚀的步骤，具体制备过程依次如下：坚膜90秒、打底胶60秒、湿法腐蚀栅槽。
9、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述蒸发Ti/Pt/Au作为耗尽型栅金属的步骤，具体制备过程依次如下：
漂洗、蒸发耗尽栅金属Ti/Pt/Au，其中，Ti为50纳米，Pt为80纳米，Au为220纳米，然后进行丙酮剥离、去胶清洗。
10、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行退火处理的步骤，具体制备过程依次如下：在280℃温度下，对增强型栅金属Pt/Ti/Pt/Au进行退火处理，退火时间18分钟。
11、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行金属布线的步骤，具体制备过程依次如下：
涂HMDS、匀胶AZ5214、前烘、5#布线版光刻，曝光，反转90秒，泛曝光3分钟，显影70秒、打底胶100秒、漂洗、蒸发Ti/Au，其中，Ti为50纳米，Au为500纳米。
12、根据权利要求1所述的实现单片集成砷化镓基E/D MHEMT的方法，其特征在于，所述进行金属剥离的步骤，具体制备过程依次如下：丙酮剥离、去胶清洗。
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