[发明专利]一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法

权利要求书

1、一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法利用一次掩膜光刻同时定义出有机薄膜晶体管的源、漏、栅电极，具体包括以下步骤：

在衬底(1)正面形成具有透光性的有机绝缘栅介质层(2)；

用保护卡具(7)保护有机绝缘栅介质层(2)，腐蚀衬底(1)的背面至有机绝缘栅介质层(2)的背面，形成镂空的衬底，从而暴露出有机绝缘栅介质层(2)的背面；

在有机绝缘栅介质层(2)正面涂正性光刻胶，背面涂负性光刻胶，从正面对光刻胶进行曝光，同时曝光背面光刻胶，在显影液中显影，形成源、漏电极的正性光刻胶掩模版(8)和栅电极的负性光刻胶掩模版(9)；

分别在有机绝缘栅介质层(2)正面、正性光刻胶掩模版(8)、有机绝缘栅介质层(2)背面和负性光刻胶掩模版(9)上形成金属层，然后剥离形成源(6)、漏(4)、栅(5)电极；

在有机绝缘栅介质层(2)正面，源(6)、漏(4)电极上形成有机半导体层(3)。

2、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成有机绝缘栅介质层(2)的步骤采用旋涂的方法在衬底(1)正面实现，所述有机绝缘栅介质层(2)为有机材料，该有机材料的厚度通过控制旋涂液浓度和旋转速度进行调节。

3、根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有机绝缘栅介质层(2)为聚酰亚胺ZK-PI。

4、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在有机绝缘栅介质层(2)正面涂正性光刻胶，背面涂负性光刻胶、曝光、显影，形成源、漏电极的正性光刻胶掩模版(8)和栅电极的负性光刻胶掩模版(9)的步骤具体包括：

在有机绝缘栅介质层(2)正面上涂正性光刻胶(8)，背面上涂负性光刻胶(9)，利用掩模版(10)从正面对正性光刻胶(8)进行曝光，由于绝缘介质层(2)有透光性，背面负性光刻胶(9)同时被曝光，分别在正性光刻胶显影液和负性光刻胶显影液中显影，形成源、漏电极的正性光刻胶掩模版(8)和栅电极的负性光刻胶掩模版(9)。

5、根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述正性光刻胶显影液和负性光刻胶显影液彼此间不相互影响。

6、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成金属层，剥离形成源(6)、漏(4)、栅(5)电极的步骤中，源、漏、栅金属电极采用方向性好的金属蒸发方法形成。

7、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对于小分子有机半导体材料，所述有机半导体层(3)采用真空热蒸镀技术获得；对于聚合物有机半导体材料，所述有机半导体层(3)采用旋涂或浸没的方法获得。