[发明专利]一种有机场效应晶体管及其专用源漏电极与制备方法

权利要求书

1.一种制备图案化石墨烯电极的方法，包括如下步骤：

1)在衬底上沉积金属薄膜，并将所述金属薄膜图案化；

2)将沉积有图案化金属薄膜的衬底置于化学气相沉积系统中，在图案化金属薄膜表面化学气相沉积石墨烯，得到图案化石墨烯电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属薄膜包括银、铜、金、铝、钙、镁、锡、铁、钠、钡或它们的合金。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将所述金属薄膜图案化采用掩膜技术或光刻技术。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：化学气相沉积所用的碳源为甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、苯、甲苯、二甲苯或甲烷；化学气相沉积的温度为100-1200度；载气为N₂、Ar、N₂/H₂或Ar/H₂。

5.权利要求1或2或3或4所述方法制备得到的图案化石墨烯电极。

6.一种下电极结构有机场效应晶体管，包括栅极电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极，其特征在于：所述源电极和漏电极是权利要求5所述的图案化石墨烯电极。

7.根据权利要求6所述的下电极结构有机场效应晶体管，其特征在于：所述栅极电极材料包括银、铜、金、铝、钙、镁、锡、铁、钠、钡或它们的合金，氧化铟锡或高掺杂单晶硅。

8.根据权利要求6所述的下电极结构有机场效应晶体管，其特征在于：所述介电层材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钇、氧化铈或氧化锆。

9.根据权利要求6所述的下电极结构有机场效应晶体管，其特征在于：所述有机半导体为有机小分子或高分子材料。

10.权利要求6所述下电极结构有机场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：

a)在衬底上顺序沉积栅极电极和介电层；

b)在沉积有栅极电极和介电层的衬底上沉积一层金属薄膜，通过掩膜板或光刻技术实现所述金属薄膜图案化；

c)将步骤b)所得衬底置于化学气相沉积系统中，在图案化金属薄膜表面化学气相沉积石墨烯，形成图案化石墨烯电极，作为有机场效应晶体管的源电极和漏电极；

d)在步骤c)所得衬底上制备有机半导体层，得到所述下电极结构有机场效应晶体管。