[发明专利]监测干法刻蚀过程的方法及系统有效
申请号: | 200710177920.0 | 申请日: | 2007-11-22 |
公开(公告)号: | CN101441984A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 常有军;周贺 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监测 刻蚀 过程 方法 系统 | ||
1.一种监测干法刻蚀过程的方法,其特征在于包括:
步骤100、采集等离子体腔室内设定光谱物质在刻蚀过程中的光谱参数,并根据所述光谱参数生成工作变化曲线;
步骤200、将所述工作变化曲线与预先存储的标准变化曲线进行比较,当对比偏差超出设定阈值时,输出停机信号和/或报警信息;
所述200之后还包括步骤:
步骤210、根据接收到的停机信号控制刻蚀过程停止;
步骤220、将所述对比偏差对应的异常数据与数据库中的历史数据作对比,若有记录,则按照所述数据库中相应的诊断信息给出诊断提示;若无记录,则执行步骤230;
所述数据库中存储有各种异常情况下的异常数据、由所述异常数据生成的异常变化曲线、以及与每种异常情况对应的诊断信息;
步骤230、对所述工作变化曲线进行分析,并确定诊断信息;
步骤240、将所述异常数据及诊断信息存储到数据库中。
2.根据权利要求1所述的监测干法刻蚀过程的方法,其特征在于,所述步骤100具体为:
步骤110、根据接收到的开始刻蚀的控制信号,开始采集光谱参数;
步骤120、将所述光谱参数转换成电压信号;
步骤130、将所述电压信号转换成数字信号;
步骤140、根据所述数字信号生成工作变化曲线。
3.根据权利要求1所述的监测干法刻蚀过程的方法,其特征在于,所述步骤200具体为:将工作变化曲线与数据库中存储的标准变化曲线进行比较,获得对比偏差,当所述对比偏差超出设定阈值时,输出停机信号和/或报警信息,当所述对比偏差未超出设定阈值时,输出正常信息。
4.根据权利要求1所述的监测干法刻蚀过程的方法,其特征在于,所 述步骤100之前还包括步骤
根据刻蚀物质选择需要监测的所述设定光谱物质。
5.一种监测干法刻蚀过程的系统,其特征在于,包括:
采集装置,用于采集等离子体腔室内设定光谱物质在刻蚀过程中的光谱参数;
监测装置,与所述采集装置相连接,对所述光谱参数进行处理,根据处理结果判断所述刻蚀过程是否正常,并根据判断结果输出控制信号;
控制装置,与所述监测装置相连接,根据所述控制信号控制所述刻蚀过程的进行;
其中,所述监测装置,还用于根据所述光谱参数生成工作变化曲线,并将所述工作变化曲线与预先存储的标准变化曲线进行比较,当对比偏差超出设定阈值时,将所述对比偏差对应的异常数据与数据库中的历史数据作对比,若有记录,则按照所述数据库中相应的诊断信息给出诊断提示;若无记录,则对所述工作变化曲线进行分析,并确定诊断信息;将所述异常数据及诊断信息存储到数据库中;所述数据库中存储有各种异常情况下的异常数据、由所述异常数据生成的异常变化曲线、以及与每种异常情况对应的诊断信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造