[发明专利]一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法

权利要求书

1、一种直拉单晶硅材料中内含掺杂剂的检测、鉴别方法，其特征在于，

(1)、通过一套X—射线衍射装置，向硅晶样品表面发射X-射线，含有掺杂剂的硅晶样品表面在X—射线的轰击下包含掺杂剂元素在内的金属元素发生衍射光谱；

(2)、通过检测器接收衍射光谱；

(3)、通过特征光谱谱线位置来判定元素的种类。

2、根据权利要求1所述的一种直拉单晶硅材料中内含掺杂剂的检测、鉴别方法，其特征在于，通过特征光谱谱线的峰值计算该元素含量的大小。

3、根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶硅材料中内含掺杂剂的检测、鉴别方法，其特征在于，适用于N型且电阻率小于0.1Ωcm硅晶材料中含掺杂剂的检测、鉴别。

4、根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶硅材料中内含掺杂剂的检测、鉴别方法，其特征在于，适用于N型且电阻率0.0008～0.02Ωcm硅晶材料中含掺杂剂的检测、鉴别。

5、根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶硅材料中内含掺杂剂的检测、鉴别方法，其特征在于，适用于N型硅晶材料，包括磷(P)、砷(As)和锑(Sb)做掺杂剂。

6、根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶硅材料中内含掺杂剂的检测、鉴别方法，其特征在于，直拉硅晶材料包括原生单晶棒、原生单晶加工的边角料(单晶头部、尾部、有位错的单晶部分和从直拉炉提取出的含有上述掺杂剂的硅料)、加工过程中硅片(切片、磨片、腐蚀片、抛光片)。