[发明专利]纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料有效
申请号: | 200710178132.3 | 申请日: | 2007-11-27 |
公开(公告)号: | CN101182201A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 王晓慧;田之滨;王天;李龙土 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/624;H01G4/12;H01G4/30 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李光松 |
地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 掺杂 制备 金属 电极 多层 陶瓷 电容器 介质 材料 | ||
1.一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料,其特征在于:该电容器介质材料是在主料钛酸钡中掺入纳米掺杂剂组成;所述主料钛酸钡BaTiO3在配方中所占摩尔分数为90~98mol%;所述纳米掺杂剂的用量占材料总量的2~10mol%。
2.根据权利要求1所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料,其特征在于:所述纳米掺杂剂为下列成分的氧化物复合组成:
w A+x B+y C+z D
其中A为CaTiO3,CaO,BaO,SrO,MgO中的一种以上;
B为MnO2,Co2O3,Co3O4,Fe2O3,Y2O3中的一种以上;
C为SiO2,B2O3,Li2O中的一种以上;
D为稀土Re氧化物,Re为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上;
w、x、y、z是各类氧化物相对于BaTiO3的摩尔分数,其中w:0.01~2mol%,x:0.01~3mol%,y:0.1~6mol%,z:0~4mol%。
3.根据权利要求1所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料,其特征在于:所述主料钛酸钡的粒度小于200nm。
4.一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法,以钛酸钡为主料,加入上述w A+x B+y C+z D成分的氧化物复合成纳米掺杂剂,
其特征在于:所述纳米掺杂剂用水基溶胶-凝胶法制备:
①将上述w A+x B+y C+z D中的金属元素的硝酸盐或醋酸盐之可溶性盐按摩尔比称重混合,溶解于去离子水中,再按重量比加入盐总重∶聚乙二醇=0.1~3,持续搅拌,溶解后得澄清溶液;
②按体积比,将硅的醇盐∶无水乙醇∶醋酸∶去离子水=1∶1~15∶1~8∶5~40,混合均匀,得到澄清稳定的溶液;
③将步骤①中的溶液过滤后,按体积比0.5~20∶1缓慢倒入步骤②的溶液中,持续搅拌,得到澄清的前驱体溶液;
④将步骤③得到的溶胶于80℃~160℃干燥6h~48h,得到干凝胶;
⑤将干凝胶于400℃~1000℃在空气中预烧1~10h后,研磨过筛,即得所需 纳米掺杂剂。
5.根据权利要求4所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法,其特征在于:所述纳米级掺杂剂粒径为10~80纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710178132.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。