[发明专利]制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法

权利要求书

1.一种制作单片集成砷化镓基应变高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，其特征在于，该方法依次包括以下工艺步骤：

光刻PIN上电极、蒸发形成上电极金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和MHEMT源漏、蒸发形成PIN下电极和MHEMT源漏金属、剥离PIN下电极和MHEMT源漏金属、欧姆接触合金、MHEMT台面腐蚀隔离、MHEMT栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、一次布线光刻、蒸发形成布线金属、剥离布线金属；其中：

所述剥离上电极金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除上电极区域之外的金属；

所述剥离PIN下电极和MHEMT源漏金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除下电极和MHEMT源漏区域之外的金属；

所述欧姆接触合金包括：在280℃合金1分钟，使PIN上、下电极和MHEMT源漏电极形成欧姆接触；

所述蒸发栅金属包括：漂洗、蒸发栅金属Ti/Pt/Au，其中，Ti为50纳米，Pt为80纳米，Au为220纳米；

所述剥离栅金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除栅区域之外的金属；

所述生长钝化介质包括：PECVD生长SiN介质200纳米；

所述刻孔包括：涂HMDS、匀胶9912、前烘、6#阴版光刻、显影、坚膜、RIE刻蚀、去胶；

所述剥离布线金属包括：利用丙酮溶液剥离，去除布线区域之外的金属。

2.根据权利要求1所述的制作单片集成砷化镓基应变高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，其特征在于，所述光刻PIN上电极的步骤包括：

涂HMDS、匀胶AZ5214、前烘、1#阳版光刻，曝光，反转，泛曝光，显影。

3.根据权利要求1所述的制作单片集成砷化镓基应变高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，其特征在于，所述蒸发形成上电极金属的步骤包括：

打底胶、漂洗，蒸发Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au，其中，Ni为4纳米，Ge为4纳米，Au为66纳米，Ge为8纳米，Ni为3纳米，Au为220纳米。

4.根据权利要求1所述的制作单片集成砷化镓基应变高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，其特征在于，所述同时光刻PIN下电极和MHEMT源漏的步骤包括：

涂HMDS、匀胶AZ5214、前烘、3#阳版光刻，曝光，反转，泛曝光，显影。

5.根据权利要求1所述的制作单片集成砷化镓基应变高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，其特征在于，所述蒸发形成PIN下电极和MHEMT源漏金属的步骤包括：

打底胶、漂洗，蒸发Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au，其中，Ni为4纳米，Ge为4纳米，Au为66纳米，Ge为8纳米，Ni为3纳米，Au为220纳米。

6.根据权利要求1所述的制作单片集成砷化镓基应变高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，所述MHEMT台面腐蚀隔离的步骤包括：

涂HMDS、匀胶9912、前烘、4#阳版光刻，曝光，显影、坚膜、打底胶、台面隔离湿法腐蚀直至漏电流降为纳安量级、测试隔离效果、去胶清洗；其中湿法腐蚀工艺，利用H₃PO₄-H₂O₂-H₂O溶液腐蚀盖帽层N+In_0.53Ga_0.47As、势垒层i-In_0.52Al_0.48As、平面掺杂层、空间隔离层i-In_0.52Al_0.48As、沟道i-In_0.53Ga_0.47As和部分缓冲层i-In_0.52Al_0.48As。

7.根据权利要求1所述的制作单片集成砷化镓基应变高电子迁移率晶体管和PIN二极管的方法，其特征在于，所述MHEMT栅光刻的步骤包括：

涂HMDS、匀胶AZ5206、前烘、5#栅版光刻，曝光，反转，泛曝光，显影、清洗、吹干。