[发明专利]一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置

权利要求书

1、一种半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，该装置包括：

超临界清洗室，用于硅片的清洗，由高压反应室(4)和温度控制室(5)组成；其中，所述高压反应室(4)位于温度控制室(5)的上方，用于盛放硅片支架，提供二氧化碳气化清洗的反应室；温度控制室(5)通过蒸发器盘管与高压反应室(4)相连，实现高压反应室(4)的制冷和加热；

分离减压室(6)，通过管道与高压反应室(4)相连，用于减压后将醇类与二氧化碳分离，并循环使用；

所述超临界清洗室与分离减压室(6)通过支座台(2)固定连接。

2、根据权利要求1所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述高压反应室(4)与二氧化碳气瓶相连，且高压反应室(4)的外壁上安装有半导体制冷环(201)。

3、根据权利要求2所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述半导体制冷环焊接在高压反应室(4)的外壁。

4、根据权利要求1所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述高压反应室(4)顶部安装有高压盖(1)，用于密封高压反应室，符合中国压力标准。

5、根据权利要求1所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述高压反应室(4)底部安装有进口电磁阀(401)，出口电磁阀(402)，温度传感器(11)，压力传感器(10)；其中，

进口电磁阀(401)和出口电磁阀(402)用于控制二氧化碳的进出；

温度传感器(11)用于测试和控制高压反应室(4)内的温度；

压力传感器(10)用于测试和控制高压反应室(4)内的压力。

6、根据权利要求1所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述高压反应室(4)内部设置有硅片支架，在高压反应室(4)的底部绕贴有加热电阻丝。

7、根据权利要求1至6中任一项所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述高压反应室(4)为不锈钢材料制成的圆柱体，采用符合中国标准的压力容器，增强装置的安全性。

8、根据权利要求1所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述温度控制室(5)上安装有控制面板(9)，用于显示和控制温度，并且显示高压反应室(4)内的压力，该控制面板(9)与温度控制室(5)相连。

9、根据权利要求1所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，所述分离减压室(6)接有进气管和减压排气管(8)，其中，进气管用于连接高压反应室(4)与分离减压室；减压排气管(8)用于排除残余液体和气体。

10、根据权利要求1所述的半导体制冷的超临界二氧化碳清洗装置，其特征在于，该装置由继电器温度压力传感器及阀门控制自动运行，并设置有安全自锁机能。