[发明专利]一种硅片表面图形刻蚀方法及其硅片有效
| 申请号： | 200710178369.1 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101159234A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李琛;廖怀林;周发龙;黄如;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 图形 刻蚀 方法 及其 | ||
1.一种硅片表面图形刻蚀方法，包括如下步骤：
1)在硅片表面沉积氮化硅层，然后，刻蚀氮化硅层，在硅片表面形成若干刻蚀区域；每个所述刻蚀区域的尺度为0.5-4微米；
2)将所述带有刻蚀区域的硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应，在所述刻蚀区域处形成刻蚀图形；所述腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混和液或者氢氟酸和二甲基甲酰胺的混和液；通电进行阳极氧化反应的电流密度为5-100mA/cm2。
2.根据权利要求1所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀区域的尺度为2微米。
3.根据权利要求1所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀区域为直径为0.5-4微米的孔状结构。
4.根据权利要求1所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀区域为槽状结构，其宽度为0.5-4微米，其长度不限。
5.根据权利要求1-4任一所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：所述氢氟酸和乙醇的混和液中，氢氟酸与乙醇的体积比为1∶10-10∶1，优选为1∶1；所述氢氟酸和二甲基甲酰胺的混和液中，氢氟酸与二甲基甲酰胺的体积比为1∶10-10∶1，优选为1∶4。
6.根据权利要求1-4任一所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：通电进行阳极氧化反应的电流密度为30mA/cm2。
7.根据权利要求1-4任一所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：通电进行阳极氧化反应的时间为1-60分钟，优选为15分钟。
8.根据权利要求5所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：通电进行阳极氧化反应的电流密度为30mA/cm2。
9.根据权利要求5所述的硅片表面图形刻蚀方法，其特征在于：通电进行阳极氧化反应的时间为1-60分钟，优选为15分钟。
10.权利要求1-9所述硅片表面图形刻蚀方法得到的硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
