[发明专利]一种芯片的数据读写方法、相应装置和系统

说明书

技术领域

本发明涉及计算机领域，尤其涉及芯片的数据读写技术。

背景技术

终端中有大量的数据需要在非易失闪存(NvRAM，Non-Volatile RandomAccess Memory)芯片中进行写入和读取，这些数据包括厂商进行自动生产测试的数据、终端出厂时的缺省配置数据、用户更改的配置数据、终端应用使用的数据等。

在终端运行过程中，会频繁的读写NvRAM芯片上的数据，而每次读写的数据量大小也有很大差异。目前终端上的NvRAM芯片基本上有NOR(NotOR，或非门)和NAND(Not AND，与非门)两类，对两类闪存芯片的数据写入操作之前都需要先进行擦除操作，此外，NOR类型的NvRAM芯片与NAND类型的NvRAM芯片相比，具有以下特点：

1、NOR类型的NvRAM芯片的数据读取速度比NAND类型的NvRAM芯片的数据读取速度稍快一些；

2、NOR类型的NvRAM芯片的数据写入速度比NAND类型的NvRAM芯片的数据写入速度慢很多；

3、NOR类型的NvRAM芯片5s的数据擦除速度比NAND类型的NvRAM芯片的4ms的数据擦除速度慢很多；

4、NOR类型的NvRAM芯片的擦除单元比NAND类型的NvRAM芯片的擦除单元更大，相应的擦除电路更复杂。

考虑到芯片容量、生产成本、电路设计、内存技术驱动程序等方面的因素，不同厂商会选择不同的闪存芯片。如果选择了NOR类型的闪存芯片，则需要考虑NOR类型NvRAM芯片的擦除或写入的时间较长的因素。

现有技术应用比较普遍的方案是将芯片的擦除和写入操作放在后台线程处理，即后台线程调度时，首先将要读取或写入的数据加入到缓存中的单向链表中。当写入数据时，需针对NOR类型NvRAM芯片的特点，先擦除数据预写入的资源块(Block)中存储的内容，再将缓存中的单向链表中的每个节点中的数据逐一写入芯片中。当读取数据时，首先在缓存中的单向链表中遍历查找，若缓存中的某个节点包含所需读取的数据，则从缓存中读取，否则，则将缓存中的数据写入芯片后，再从NvRAM芯片中进行读取。

上述现行方案中，主要存在以下缺点：

在写入数据时，因为NvRAM芯片的写入操作只能在空的或已擦除的Block中进行，所以每将缓存中的一个节点写入芯片前，都需要先擦除其所要写入的NvRAM芯片上的Block中的内容，然后再将数据写入到空的或已擦除的Block中。当缓存中的节点较多时，就需要擦除Block多次，例如：拷贝USIM卡上N条电话条目至终端上，首先将N个节点加入到缓存中的单向链表，后台线程调度时，每向NOR类型NvRAM芯片中写入一个节点都要擦除要写入数据的Block一次。由于NOR类型NvRAM芯片中的Block一般为64～128KB，执行一个写入或擦除操作的时间为5s，比较耗时。如果N＝200，则整个拷贝时间约为16.7分钟，并且需要擦除Block 200次。显然，这样不但非常耗时，写入效率低，而且对芯片擦除次数过多，会影响芯片的使用寿命。另外，如果数据的写入时间过长，缓存中的数据还没有全部写入到芯片中，如果在这个过程中系统出现异常或断电，就会造成缓存中的数据丢失。

在读取数据时，当需要读取的数据部分在缓存中，部分在NvRAM芯片中时，也即需要读取的数据的地址范围超出缓存中某个节点的地址范围，按照现行的方案，需要先将缓存中的数据写入到NvRAM芯片中，再从NvRAM芯片中读取需要的数据。例如：缓存中的节点A保存的数据的地址范围是0x00001000-0x00001100，需要读取数据的地址范围是0x00001050-0x00001150，要读取的数据不能全部从缓存中的节点A中读取到，则需要先将缓存中的节点A保存的数据写入NvRAM芯片中对应地址范围的Block中，相应地，就需要预先擦除对应地址范围的Block中的内容，在将缓存中的节点A保存的数据写入NvRAM芯片后，再从NvRAM芯片中读取需要的数据。可见，这样无形中增加了擦写芯片的时间，读取效率低。

总之，现有的数据读写方法运行效率低，并且影响芯片的使用寿命。

发明内容

本发明提供了一种芯片的数据读写方法、相应装置和系统，能够解决现有的数据读写方法运行效率低，并且影响芯片使用寿命的问题。

本发明实施例通过如下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种芯片的数据写入方法，该数据写入方法包括：