[发明专利]TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板结构，包括栅线和数据线，栅线和数据线限定了像素区域，并在交叉处形成薄膜晶体管，薄膜晶体管与形成在像素区域内的像素电极连接，其特征在于，所述薄膜晶体管的源漏电极上形成有第一钝化层，所述第一钝化层上形成有第一钝化层沟道窗口和使所述源漏电极的漏电极与所述像素电极连接的第一钝化层过孔，像素电极以外区域上形成有第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为

3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为

4.一种TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属层，通过第一次掩模工艺形成栅电极和栅线；

步骤2、在完成步骤1的基板上连续沉积栅绝缘层、有源层、源漏金属层和第一钝化层，通过第二次掩模工艺形成第一钝化层、源漏电极、数据线和有源层图形，并形成第一钝化层过孔和第一钝化层沟道窗口；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，通过第三次掩模工艺形成像素电极，且像素电极通过所述第一钝化层过孔与所述源漏电极连接，保留所述像素电极上的光刻胶；

步骤4、在完成步骤3的基板上进行源漏电极和有源层中掺杂半导体层刻蚀，形成TFT沟道；

步骤5、在完成步骤4的基板上沉积第二钝化层，通过像素电极上保留的所述光刻胶剥离，去除光刻胶上面的第二钝化层。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：采用溅射或热蒸发的方法，在基板上沉积一层厚度为的栅金属层，通过第一次掩模工艺在所述基板上形成栅电极和栅线。

6.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体为：

步骤21、在完成步骤1的基板上通过PECVD方法连续沉积厚度为1000～4000的栅绝缘层和厚度为1000～3500的有源层；

步骤22、在完成步骤21的基板上通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度为500～2500的源漏金属层；

步骤23、在完成步骤22的基板上通过PECVD方法沉积厚度为700～2000的第一钝化层；

步骤24、采用狭缝光刻工艺或灰色调光刻工艺在基板上形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域；

步骤25、在完全曝光区域进行连续刻蚀，分别刻蚀掉第一钝化层、源漏金属层、有源层和栅绝缘层，从而形成第一钝化层、源漏电极、数据线和有源层图形；

步骤26、在部分曝光区域通过光刻胶灰化工艺和钝化层刻蚀工艺，分别形成第一钝化层过孔和第一钝化层沟道窗口，其中第一钝化层过孔位于源漏电极之上，第一钝化层沟道窗口位于栅电极之上，并使部分源漏电极暴露出来。

7.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

步骤31、在完成步骤2的基板上通过溅射或热蒸发的方法，沉积厚度为300～600的透明导电层；

步骤32、在完成步骤31的基板上通过第三次掩模工艺形成像素电极，使像素电极通过第一钝化层过孔与源漏电极连接，且保留像素电极上的光刻胶。

8.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体为：

步骤41、在完成步骤3的基板上的第一钝化层沟道窗口位置进行源漏电极刻蚀，形成漏电极和源电极；

步骤42、在完成步骤41的基板上进行有源层中掺杂半导体层的刻蚀，在第一钝化层沟道窗口位置暴露出有源层中的半导体层，形成TFT沟道。

9.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤5具体为：

步骤51、在完成步骤4的基板上通过PECVD方法沉积厚度为700～2000的第二钝化层；

步骤52、进行光刻胶剥离，使沉积在光刻胶上的第二钝化层同时被去除。