[发明专利]一种副边有源箝位装置有效

专利信息
申请号: 200710179046.4 申请日: 2007-12-10
公开(公告)号: CN101227150A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 王士民;郭宵飞;金祖敏;孙建锋 申请(专利权)人: 北京新雷能有限责任公司
主分类号: H02M3/315 分类号: H02M3/315;H02M7/155
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 孙长龙
地址: 100096*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有源 箝位 装置
【权利要求书】:

1.一种副边有源箝位装置,其特征在于,包括:

原边具有开关的变压器,连接第一、第二金属氧化物场效应管MOSFET栅极的同步整流电路,所述变压器副边主绕组的同名端连接所述的第二MOSFET漏极、并通过连接电感接到副边输出;信号驱动电路的一端与所述变压器副边主绕组的异名端、N沟道MOSFET箝位管的源极、所述第一MOSFET的漏极相连接,信号驱动电路的另一端连接N沟道MOSFET箝位管的栅极,所述箝位管的漏极连接电容的一端,所述电容的另一端连接所述第一、第二MOSFET的源极并接到副边输出。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述信号驱动电路为:

连接有电阻的所述变压器的辅助绕组。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述信号驱动电路的一端与所述变压器副边主绕组的异名端、N沟道MOSFET箝位管的源极、所述第一MOSFET的漏极相连接为:

所述变压器辅助绕组的同名端与所述变压器副边主绕组的异名端、N沟道MOSFET箝位管的源极、所述第一MOSFET的漏极相连接;

所述信号驱动电路的另一端连接N沟道MOSFET箝位管的栅极为:

所述变压器辅助绕组的异名端连接N沟道MOSFET箝位管的栅极。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述信号驱动电路为:

连接有电阻的所述电感的辅助绕组。

5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述信号驱动电路的一端与所述变压器副边主绕组的异名端、N沟道MOSFET箝位管的源极、所述第一MOSFET的漏极相连接为:

所述电感的辅助绕组的异名端与所述变压器副边主绕组的异名端、N沟道MOSFET箝位管的源极、所述第一MOSFET的漏极相连接;

所述信号驱动电路的另一端连接N沟道MOSFET箝位管的栅极为:

所述电感的辅助绕组的同名端连接N沟道MOSFET箝位管的栅极。

6.根据权利要求3或5所述的装置,其特征在于,所述信号驱动电路与所述箝位管栅极之间还连接有防止箝位管击穿的稳压管。

7.根据权利要求3或5所述的装置,其特征在于,所述变压器的副边还连接有包括整流电路的输出端。

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