[发明专利]一种铌酸盐压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200710179206.5 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101186501A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 邢献然;孙学义;陈骏;于然波;刘桂荣 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
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| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸盐 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铌酸盐压电陶瓷，其特征在于，压电陶瓷组成通式为(1-x)(Na0.5+yK0.5+y)NbO3-xBiScO3，式中x、y表示相应的组分所占摩尔数，其中0.0＜x＜0.02且0.02＜y＜0.05。
2.一种权利要求1所述压电陶瓷的制备方法，其特征在于，采用以下制备步骤：
(1)按照(1-x)(Na0.5+yK0.5+y)NbO3-xBiScO3(0.0＜x＜0.02且0.02＜y＜0.05)称取符合化学剂量比的Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Sc2O3以及Bi2O3，称量后的样品在乙醇溶液中球磨5～20小时，使其充分混合，烘干后在800～1000℃温度范围内煅烧1～10小时；
(2)煅烧后的样品经球磨后，加入5wt.％PVA混合均匀，并且经过干燥后，在40-60MPa条件下压制成片，制得陶瓷生坯，再将陶瓷生坯以2-8℃/min速度升温至600℃保温一小时进行排胶，然后以10-20℃/min的速度升温至1000～1200℃，烧结1～10小时。
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