[发明专利]在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710179886.0 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101463499A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高福宝;陈诺夫;吴金良;刘磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B19/00;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锑化镓 衬底 生长 inasxsb1 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在锑化镓(GaSb)衬底上外延生长InAsxSb1-x薄膜的液相外延生长方法，其特征在于，步骤包括：
1)用石磨或石英制成生长舟，作为生长容器；
2)将一衬底置于生长容器中，用于在其上进行外延生长；
3)将含有铟(In)、锑(Sb)和砷(As)的源按原子数比In:Sb:As＝1:y:(1-y)配制成生长母源，并将它们放入生长容器中，在外延炉中经充分熔解并均匀混合后，在过冷度为1—10K的条件下进行外延生长，得到生长薄膜。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述衬底是锑化镓单晶片。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述衬底是在GaSb单晶片衬底上生长的缓冲层。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述生长薄膜厚度在10～100μm之间。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述生长过程的温度范围是673K—873K。
6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述生长母源的成分y的取值范围为：0.5<y<1.0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710179886.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：白细胞分类试剂及方法
- 下一篇：氮化锌薄膜制备方法
