[发明专利]有机薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制造方法，该方法是在基底上，依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极、有机半导体层；其特征是：

1)栅绝缘层的制作

在栅极上镀250纳米厚的二氧化硅作为栅绝缘层；

2)在源极和漏极上制作表面修饰层

在基底上依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极后，将其转移到DEL多功能高真空系统中，放入2滴2wt％硫醇溶液，气相沉积于镀好的源极、漏极上，沉积十五分钟，形成表面修饰层；

3)在完成2)后，在其上制作有机半导体层

其镀膜工序，采用6，13-取代基的并五苯衍生物TIPS-pentacene[(bia(triisopropylsilylethynyl)pentacene)]其结构式：

配制成0.5wt％的甲苯溶液，在90℃时，以2500rpm，旋涂60秒后并五苯衍生物转变为并五苯薄膜，得到有机半导体层；

采用该方法制作的有机薄膜晶体管的结构依次为：基底、栅极、栅绝缘层、源极、漏极、表面修饰层、有机半导体层。

2.根据权利要求1所述的一种有机薄膜晶体管的制造方法，其特征是：制作有机半导体层的镀膜工序或采用6，13-取代基的并五苯衍生物TES噻吩基并五苯，结构式为

配制成4wt％的甲苯溶液，以2000rpm，旋涂60秒后沉积在片子上，接着在90℃时，空气中退火2分钟，并五苯衍生物先驱物转变为并五苯薄膜，得到有机半导体层。