[发明专利]形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法

权利要求书

1.一种用于形成超低介电层的模板衍生物，其包括由下式表示的环糊精衍生物：

其中，在所述式中，n是6-8的整数，m表示1-3的整数。

2.根据权利要求1的模板衍生物，其中，所述环糊精衍生物是通过使用烯丙基溴的反应性环糊精的烯丙基化作用、以及随后的所述烯丙基化的反应性环糊精与SiH₄气体的硅氢化作用形成的。

3.根据权利要求1的模板衍生物，其中，所述环糊精衍生物的末端含有Si-H。

4.根据权利要求1的模板衍生物，其中所述环糊精衍生物选自六{2，3，6-三-O-(3-三氢甲硅烷基丙基)-α-环糊精}、七{2，3，6-三-O-(3-三氢甲硅烷基丙基)-β-环糊精}和八{2，3，6-三-O-(3-三氢甲硅烷基丙基)-γ-环糊精}。

5.使用用于形成超低介电层的模板衍生物形成超低介电层的方法，其包括以下步骤：

使用由下式表示的环糊精衍生物形成层：

其中，在所述式中，n是6-8的整数，m表示1-3的整数；以及

在过氧化氢气氛中固化所述使用环糊精衍生物所形成的层。

6.根据权利要求5的方法，其中，所述使用环糊精衍生物形成层的步骤是使用所述环糊精衍生物和硅酸盐低介电基质一起进行的。

7.根据权利要求6的方法，其中，所述硅酸盐低介电基质包括一种选自聚甲基硅倍半氧烷和聚甲基硅倍半氧烷共聚物的硅酸盐前体。

8.根据权利要求5的方法，其中，所述使用环糊精衍生物形成层的步骤以旋涂法进行。

9.根据权利要求5的方法，其中，所述在过氧化氢气氛中固化所述使用环糊精衍生物所形成的层的步骤在100-250℃的温度下进行30-120分钟。

10.根据权利要求5的方法，其进一步包括在所述在过氧化氢气氛中固化所述使用环糊精衍生物所形成的层的步骤之后，热处理所述固化的层的步骤。

11.根据权利要求10的方法，其中，热处理所述固化的层的步骤在350-400℃的温度下进行30-120分钟。

12.一种用于形成超低介电层的模板衍生物，其由通过下式表示的葡萄糖衍生物构成：

其中，在所述式中，R表示(CH₂)_n-SiH₃，n表示1-3的整数。

13.根据权利要求12的模板衍生物，其中，所述葡萄糖衍生物是通过使用烯丙基溴的反应性葡萄糖前体的烯丙基化作用、以及随后的所述烯丙基化的反应性葡萄糖前体与SiH₄气体的硅氢化作用形成的。

14.根据权利要求12的模板衍生物，其中，所述葡萄糖衍生物的末端含有Si-H。

15.一种使用模板衍生物形成超低介电层的方法，其包括以下步骤：

使用由下式表示的葡萄糖衍生物形成层：

其中，在所述式中，R表示(CH₂)_n-SiH₃，n表示1-3的整数；以及

在过氧化氢气氛中固化所述层。

16.根据权利要求15的方法，其中，所述使用葡萄糖衍生物形成层的步骤是使用所述葡萄糖衍生物和硅酸盐低介电基质一起进行的。

17.根据权利要求16的方法，其中，所述硅酸盐低介电基质包括一种选自聚甲基硅倍半氧烷和聚甲基硅倍半氧烷共聚物的硅酸盐前体。

18.根据权利要求15的方法，其中，所述使用葡萄糖衍生物形成层的步骤以旋涂法进行。

19.根据权利要求15的方法，其中，所述固化步骤在100-250℃的温度下进行30-120分钟。

20.根据权利要求15的方法，其进一步包括在所述在过氧化氢气氛中固化所述使用葡萄糖衍生物所形成的层的步骤之后，热处理所述固化的层的步骤。

21.根据权利要求20的方法，其中，所述热处理在350-400℃的温度下进行30-120分钟。