[发明专利]具有金属元件的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路工艺，其中该集成电路包含金属元件，该工艺包含有：

形成多层材料层，其中形成这些材料层的步骤包含有：

提供基底，该基底上包含金属层，其中该金属层包含金属材料；

形成第一复合材料层于该金属层上，其中该第一复合材料层包含该金属材料以及掺杂；

形成第二复合材料层于该第一复合材料层上，其中该第二复合材料层与该第一复合材料层相邻，其中该第二复合材料层包含该掺杂以及掩模材料；

形成第一掩模层于该第二复合材料层上；以及

结构化这些材料层以形成该金属元件。

2.如权利要求1所述的工艺，其中结构化这些材料层的步骤包含有：

在该第一掩模层以及该第二复合材料层中形成开口；以及

以该第二复合材料层为掩模，去除部分的该第一复合材料层和该金属层。

3.如权利要求1所述的工艺，其中结构化这些材料层的步骤包含有：

在该第一掩模层中形成开口；以及

以该第一掩模层为掩模，去除部分的该第二复合材料层、该第一复合材料层和该金属层。

4.如权利要求1所述的工艺，其中结构化这些材料层的步骤包含有：

在该第一掩模层上形成第二掩模层；以及

在该第二掩模层上形成开口以结构化该第一掩模层。

5.如权利要求1所述的工艺，其中形成该第一复合材料层的方式包含将该金属层曝露在具有该掺杂的等离子体中。

6.如权利要求1所述的工艺，其中该第一复合材料层在第一工艺反应室形成，该第二复合材料层以及该第一掩模层在第二工艺反应室形成。

7.一种集成电路，包含：

基底；

位于该基底上的金属元件，其中该金属元件包含金属材料；以及

位于该金属元件上的复合元件，其中该复合元件包含该金属材料与掺杂。

8.一种存储器元件，包含：

基底；

位于该基底上的导电元件，其中该导电元件包含金属材料；以及

位于该导电元件上的复合元件，其中该复合元件包含该金属材料与掺杂。

9.如权利要求8所述的存储器元件，其中该导电元件与该存储器元件的一存储单元接触。

10.如权利要求8所述的存储器元件，其中该导电元件与一存储单元的一电容接触。