[发明专利]半导体结构及制造多个鳍片场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，包括：

形成在所述半导体衬底上延伸的多个半导体体区，每个所述半导体体区包括其上的硬掩模材料以及每个所述半导体体区的侧壁上的绝缘间隔件；

使所述半导体衬底的一部分凹陷以在每个所述半导体体区的印迹处形成基座区域；

在包括所述基座区域的部分的所述半导体衬底的暴露表面上生长氧化物；

在所述生长的氧化物上形成回蚀的各向异性氧化物；

去除所述绝缘间隔件，其中在所述回蚀的各向异性氧化物和所述半导体体区之间形成间隙；以及

形成栅电介质和栅导体，其中所述栅电介质存在于所述半导体体区的每个侧壁上。

2.根据权利要求1的方法，其中形成所述多个半导体体区的步骤包括侧壁影像工艺。

3.根据权利要求1的方法，其中形成所述绝缘间隔件的步骤包括：沉积或生长绝缘材料，并进行蚀刻。

4.根据权利要求1的方法，其中使所述半导体衬底的一部分凹陷的步骤包括各向同性或各向异性的反应离子蚀刻工艺。

5.根据权利要求1的方法，其中利用在约1000℃或更高的温度下执行的局部氧化工艺来执行在所述半导体衬底的暴露表面上生长所述氧化物的步骤。

6.根据权利要求1的方法，其中形成所述回蚀的各向异性氧化物的步骤包括：高密度等离子体CVD工艺，其后是侧壁氧化物回蚀工艺。

7.根据权利要求1的方法，其中去除所述绝缘间隔件的步骤包括本征等离子体蚀刻。

8.一种在半导体衬底上制造多个FinFET的方法，包括：

形成在含Si半导体衬底上延伸的多个含Si半导体体区，每个所述含Si半导体体区包括其上的氧化物硬掩模以及每个所述含Si半导体体区的侧壁上的氮化物间隔件；

使所述含Si半导体衬底的一部分凹陷以在每个所述含Si半导体体区的印迹处形成基座区域；

在包括所述基座区域的部分的所述含Si半导体衬底的暴露表面上生长氧化物；

在所述生长的氧化物上形成回蚀的各向异性氧化物；

去除所述氮化物间隔件，其中在所述回蚀的各向异性氧化物和所述半导体体区之间形成间隙；以及

形成栅电介质和栅导体，其中所述栅电介质存在于所述含Si半导体体区的每个侧壁上。

9.根据权利要求8的方法，其中形成所述多个半导体体区的步骤包括侧壁影像工艺。

10.根据权利要求8的方法，其中形成所述氮化物间隔件的步骤包括：沉积或生长包含氮化物的材料，并进行蚀刻。

11.根据权利要求8的方法，其中使所述含Si半导体衬底的一部分凹陷的步骤包括各向同性或各向异性的反应离子蚀刻工艺。

12.根据权利要求8的方法，其中利用在约1000℃或更高的温度下执行的局部氧化工艺来执行所述在所述含Si半导体衬底的暴露表面上生长所述氧化物的步骤。

13.根据权利要求8的方法，其中形成所述回蚀的各向异性氧化物的步骤包括：高密度等离子体CVD工艺，其后是侧壁氧化物回蚀工艺。

14.根据权利要求8的方法，其中去除所述氮化物间隔件的步骤包括热磷酸的本征等离子体蚀刻。

15.一种半导体结构，包括：位于半导体衬底的凸起的表面上的多个FinFET，其中每个所述FinFET包括围绕半导体体区的栅电介质和栅电极，其中所述栅电介质和所述栅电极的一部分位于回蚀的各向异性氧化物和所述半导体体区之间的区域中。

16.根据权利要求15的结构，其中所述半导体衬底和所述半导体体区包括相同的含Si半导体材料。

17.根据权利要求15的结构，其中每个所述FinFET包括位于所述半导体体区顶上的氧化物硬掩模。

18.根据权利要求15的结构，其中所述回蚀的各向异性氧化物位于热氧化物的表面上。

19.根据权利要求15的结构，其中所述栅电介质是氧化物。

20.根据权利要求15的结构，其中所述栅导体包括多晶硅。