[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 200710180231.5 | 申请日： | 2001-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101154461A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 柴田升;田中智晴 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体存储装置，其特征是包含：
具有多个存储元件的多个块；
与上述各块对应设置的存储电路(109)，上述存储电路存储第1逻辑电平或第2逻辑电平的数据；
检出上述存储电路的存储状态的检出电路(6b)；
从上述各块的存储元件读出数据的读出电路，上述读出电路在通过上述检出电路检出上述存储电路存储上述第1逻辑电平时，输出上述块内存储元件的数据，在检出上述存储电路存储上述第2逻辑电平时，输出不取决于上述块内存储元件的数据的一定值。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征是还包含：
上述存储电路，在对应的上述块有不良时，存储上述第2逻辑电平的数据。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征是，
上述存储电路是熔丝元件和EEPROM单元的其中之一。
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