[发明专利]形成过电压保护电路的方法及其结构有效
申请号: | 200710180248.0 | 申请日: | 2007-10-16 |
公开(公告)号: | CN101242089A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 保罗·米格里尔瓦卡 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20;H02H3/28 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 过电压 保护 电路 方法 及其 结构 | ||
1.一种过电压保护电路,其包括:
输入,其配置成接收输入电压;
输出;
旁路元件,其耦合在所述输入和所述输出之间,以及配置成将所述输入电压耦合至所述输出;
第一电路,其配置成响应于不小于第一值的所述输入电压而禁止所述旁路元件;以及
第二电路,其配置成响应于不小于第二值的所述输入电压而禁止所述旁路元件,所述第二值比所述第一值小。
2.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其中,所述第二电路包括配置成接收表示所述输入电压的感测信号并形成用于禁止所述旁路元件的控制信号的比较器,其中,所述比较器配置成响应于不小于第二值的所述输入电压而形成所述控制信号。
3.根据权利要求2所述的过电压保护电路,还包括耦合成接收所述输入信号以及形成所述感测信号的前馈电路。
4.根据权利要求2所述的过电压保护电路,还包括耦合成启动所述旁路元件的第一电阻器。
5.根据权利要求1所述的过电压保护电路,其中,所述第一电路包括耦合成接收所述输入电压的齐纳二极管。
6.根据权利要求5所述的过电压保护电路,还包括耦合至所述齐纳二极管的阈值转换电路。
7.根据权利要求6所述的过电压保护电路,还包括一个晶体管,所述晶体管耦合至所述齐纳二极管以及所述阈值转换电路,并且所述晶体管配置成响应于不小于所述第一值的所述输入电压而形成用于禁止所述旁路元件的控制信号。
8.一种形成过电压保护电路的方法,其包括:
配置所述过电压保护电路的旁路元件以将输入电压耦合至所述过电压保护电路的输出;
对于以第一速率增加的所述输入电压,响应于所述输入电压的第一值,配置所述过电压保护电路的第一电路以将所述输入电压从所述输出去耦;
响应于以第二速率增加至不小于第二值的所述输入电压,配置所述过电压保护电路的第二电路以将所述输入电压从所述输出去耦,其中,所述第二值大于所述第一值。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述配置所述过电压保护电路的所述第二电路的步骤,包括配置所述第二电路以大于所述第一电路响应所述输入电压的速率来响应所述输入电压。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述配置所述过电压保护电路的所述第二电路的步骤,包括将所述第二速率配置成大于所述第一速率。
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