[发明专利]芯片式平衡-不平衡变压器

权利要求书

1.一种芯片式平衡-不平衡变压器，该芯片式平衡-不平衡变压器成形于N层连续隔离层中，该N层隔离层由上至下起算成形于半导体基材之上，N为大于4的整数，该芯片式平衡-不平衡变压器包含：

第一绕线，包含：

多个第一半圈线圈，该第一半圈线圈成形于该隔离层中的第一层隔离层上；

多个第二半圈线圈，该第二半圈线圈大致与该第一半圈线圈对称，并且成形于该隔离层中的第一层隔离层上；

多个金属结，该金属结成形于该隔离层中的第一层隔离层上，该金属结的每一个金属结连接该第一半圈线圈中的一个第一半圈线圈与该第二半圈线圈中的一个第二半圈线圈；以及

多个第一导电段，该第一导电段成形于该隔离层中从第二层隔离层至第i层隔离层的各层上，i是范围由3至(N-1)中的整数指标，该第一导电段之每一个第一导电段是利用成形于该隔离层中的第一层隔离层至第(i-1)层隔离层中的多个第一贯孔，来连接该第一半圈线圈中的一个第一半圈线圈与该第二半圈线圈中的一个第二半圈线圈；以及

第二绕线，包含：

多个第三半圈线圈，该第三半圈线圈与该第一半圈线圈交错，并且成形于该隔离层中的第一层隔离层上；

多个第四半圈线圈，该第四半圈线圈大致与该第三半圈线圈对称，与该第二半圈线圈交错，并且形于该隔离层中的第一层隔离层上；以及

多个第二导电段，该第二导电段成形于该隔离层中的第(i+1)层隔离层上，该第二导电段中的每一个第二导电段是利用成形于该隔离层中的第一层隔离层至第i层隔离层中的多个第二贯孔，来连接该第三半圈线圈中的一个第三半圈线圈与该第四半圈线圈中的一个第四半圈线圈，或连接该第三半圈线圈中的一个第三半圈线圈与该第三半圈线圈中的另一个第三半圈线圈，或连接该第四半圈线圈中的一个第四半圈线圈与该第四半圈线圈中的另一个第四半圈线圈。

2.如权利要求1所述的芯片式平衡-不平衡变压器，其中该第一绕线进一步包含第一端口以及第二端口，该第一端口连接至该第一半圈线圈中的最外圈的第一半圈线圈，该第二端口连接至该第二半圈线圈中的最外圈的第二半圈线圈。

3.如权利要求1所述的芯片式平衡-不平衡变压器，其中该第二绕线进一步包含第三端口及第四端口，该第四端口连接至该第三半圈线圈中的最外圈的第三半圈线圈，该第三端口连接至该第四半圈线圈中的最外圈的第四半圈线圈。

4.一种变压器，包含：

第一绕线，包含：

多个第一线段，该第一线段位于主要金属层；以及

第一金属电桥，用来将该第一线段耦接在一起，该第一金属电桥包含：

多个第一导电段，该导电段分别位于该主要金属层以外的不同金属层上；以及

多个第一贯孔，用来将该第一导电段与该第一线段耦接在一起；以及

第二绕线，包含：

多个第二线段，该第二线段位于该主要金属层；以及

第二金属电桥，用来将该第二线段耦接在一起，该第二金属电桥包含：

至少一第二导电段，该第二导电段位于该主要金属层以外的金属层上；以及

多个第二贯孔，用来将该至少一第二导电段与该第二线段耦接在一起。

5.如权利要求4所述的变压器，其中该第一线段的至少其中之一的线宽不同于该第二线段的至少其中之一的线宽。