[发明专利]形成光刻和亚光刻尺寸结构的方法

权利要求书

1.一种方法，包括以下步骤：

在基础层的顶表面上形成芯层然后在所述芯层的顶表面上形成掩蔽层；

将所述掩蔽层构图为岛的图形；

将所述岛的图形转移到所述芯层中以形成芯岛，在所述芯岛之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；

在所述芯岛的侧壁上形成第一间隔物；

去除所述芯岛，在所述第一间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面；

在所述第一间隔物的侧壁上形成第二间隔物；以及

去除所述第一间隔物，在所述第二间隔物之间的间隔中暴露所述基础层的所述顶表面。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述转移之前，减小沿平行于所述基础层的所述顶表面的方向的所述岛的尺寸。

3.根据权利要求2的方法，其中所述构图包括进行光刻工序工艺，并且所述尺寸在减小之后小于通过所述光刻工序工艺可印刷的线/间隔的最小尺寸。

4.根据权利要求1的方法，还包括：将沟槽蚀刻到未被所述第二间隔物所保护的所述基础层的区域中的所述基础层中。

5.根据权利要求4的方法，其中所述构图包括进行光刻工序工艺并且沿平行于所述基础层的所述顶表面的方向的所述沟槽中的至少一个的至少一个尺寸小于通过所述光刻工序工艺可印刷的线/间隔的最小尺寸。

6.根据权利要求4的方法，其中所述基础层包括介质材料并且所述方法还包括去除所述第二间隔物和使用导电材料填充所述沟槽。

7.根据权利要求4的方法，还包括：

在所述蚀刻之前，在所述基础层的附加的区域上形成附加的掩蔽层，所述附加的掩蔽层防止蚀刻在所述附加的区域中的所述基础层。

8.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

在所述去除所述第一间隔物之后，在所述基础层和所述第二间隔物的顶表面上形成附加的掩蔽层；

将所述附加的掩蔽层构图为附加的岛的图形，所述附加的岛的选择的区域重叠所述第二间隔物的选择的区域，在所述第二间隔物之间暴露所述基础层的第一区域，以及在所述附加的岛之间的间隔中暴露所述基础层的第二区域。

9.根据权利要求8的方法，还包括，将第一沟槽蚀刻到未被所述第二间隔物所保护的所述基础层的第一区域中以及将第二沟槽蚀刻到未被所述附加的岛所保护的所述基础层的所述第二区域中。

10.根据权利要求8的方法，其中所述掩蔽层的所述构图包括进行第一光刻工序工艺以及所述附加的掩蔽层的所述构图包括进行第二光刻工序工艺，沿平行于所述基础层的所述顶表面的方向的所述第一沟槽中的至少一个的至少一个尺寸小于通过所述第一光刻工序工艺可印刷的线/间隔的最小尺寸以及沿平行于所述基础层的所述顶表面的方向的所述第二沟槽的所有尺寸等于或大于通过所述第一光刻工序工艺可印刷的所述线/间隔的所述最小尺寸。

11.根据权利要求8的方法，其中所述基础层包括介质材料并且还包括去除所述第二间隔物和所述附加的岛以及使用导电材料填充所述第一和第二沟槽。

12.一种方法，包括以下步骤：

在基础层的顶表面上形成一个或多个芯岛；

在所述一个或多个芯岛的侧壁上形成第一间隔物然后去除所述一个或多个芯岛，所述第一间隔物限定第一图形；

在所述第一间隔物的侧壁上形成第二间隔物然后去除所述第一间隔物，所述第二间隔物限定第二图形，所述第二图形是所述第一图形的逆，其中所述第二间隔物完全覆盖在邻近的第一间隔物之间的所述基础层；以及

将沟槽蚀刻到所述基础层没有被所述第二间隔物所保护的所述基础层的区域中的所述基础层中。

13.根据权利要求12的方法，还包括：

使用填充材料填充所述沟槽。

14.根据权利要求13的方法，其中所述基础层包括介质材料并且所述填充材料是导电的。

15.根据权利要求12的方法，其中使用光刻工序工艺形成所述一个或多个芯岛并且沿平行于所述基础层的所述顶表面的方向的所述沟槽中的至少一个的至少一个尺寸小于通过所述光刻工序工艺可印刷的线/间隔的最小尺寸。