[发明专利]叠层电容器

说明书

技术领域

本发明涉及大幅度降低等效串联电感(ESL)的叠层电容器，特别是涉及作为去耦电容器器等所使用的叠层电容器。

背景技术

近年，在供给LSI等的集成电路用的电源中，由于越来越向低电压化发展，负荷电流在不断增大。

因而，对于负荷电流的急剧变化，将电源电压的变动控制在容许值内变得非常困难。因此，如图2所示，就在电源102上连接被称为去耦电容器器的例如双端子结构的层叠陶瓷电容器器100。而且，在负荷电流瞬态变动时，从该层叠陶瓷电容器器100向CPU等的LSI104供给电流，做到抑制电源电压的变动。

但是，伴随今天的CPU的工作频率的更加高频化，负荷电流的变动变得更高速且更大，图2所示的层叠陶瓷电容器器100自身具有的等效串联电感(ESL)已对电源电压的变动带来了大的影响。

也就是说，在现在的层叠陶瓷电容器器100中，由于ESL高，伴随负荷电流i的变动，与上述一样，电源电压V的变动很容易增大。

这是由于负荷电流瞬态的电压变动由下式1近似表示，ESL的高低关系到电源电压的变动的大小。而且，从该式1也可以说ESL的降低关联到将电源电压稳定化。

dV＝ESL·di/dt...式1

式中，dV是瞬态的电压变动(V)，di是电流变动量(A)，dt是变动时间(秒)。

作为谋求ESL降低的叠层电容器，已知的有特开2003-51423号公报所示的叠层电容器。依据该叠层电容器，可以谋求寄生电感的降低，从而可降低ESL。但是，人们要求ESL的进一步降低。

作为使ESL进一步降低的叠层电容器，已知的有多端子叠层电容器。在该多端子叠层电容器中，由于增多外部端子电极，可以实现在一个内部导体层中方向不同的电流的流动。其结果，可以再降低ESL。

但是，在多端子电容器中，必需准备多个内部导体层的图形，外部端子电极的数目增多，存在着所谓其制造成本增高的课题。

在日本专利实开平5-66951号公报中，提出了具有内层部的导体层、在层叠方向上嵌入内层部的保护导体层2种图形的导体层的电容器。但是，在实开平5-66951号公报中，保护导体层是用来提高电容耐湿性的，另外，由于端子电极只在电介质基体2个端面上形成，达不到降低ESL的效果。

本发明是鉴于这样的现状而完成的，其目的是提供一种不设置多端子电极而能以低的制造成本大幅度降低ESL的电容器。

发明内容

为了达到上述目的，按照本发明的叠层电容器，具有：

电介质基体，由多个电介质层层叠而形成，略呈长方体形状；

内层部，在上述电介质基体中，经过上述电介质层在层叠方向上使第1内层用导体层和第2外层用导体层重叠，交互层叠，形成电容器的内部电极电路；

外层部，在上述电介质基体中，在上述第1内层用导体层和上述第2内层用导体层的层叠方向上，经过上述电介质层与上述内层部的两个端面中至少任何一个相邻，进行层叠，使得在第1外层用导体层和第2外层用导体层在层叠方向上不重叠；

第1端子电极，在上述电介质基体侧面上，至少在与上述电介质层层叠方向平行的第1侧面上形成，与上述第1内层用导体层以及上述第1外层用导体层连接；

第2端子电极，在上述电介质基体的侧面上，至少在与上述第1侧面相对的第2侧面上形成，与上述第2内层用导体层以及上述第2外层用导体层连接，

上述第1端子电极，跨越在上述第1侧面和与上述第1侧面相邻的、平行于上述电介质层的上述层叠方向的第3和第4侧面上而形成，

上述第2端子电极，跨越在上述第2侧面和与该第2侧面相邻的、平行于上述第3和第4侧面上而形成。

上述第1内层用导体层最好具有跨越在上述电介质基体的上述第1侧面以及上述第3和第4侧面上而引出的、连接到上述第1端子电极的第1引出部；

上述第2内层用导体层具有，跨越在上述电介质基体的上述第2侧面以及上述第3和第4侧面上而引出的、连接到上述第2端子电极的第2引出部。

最好这样，上述第1外层用导体层具有：跨越在上述第1侧面和上述第3和第4侧面上而引出的、连接到上述第1端子电极的第3引出部，上述第2外层用导体层具有，跨越在上述第2侧面和上述第3和第4侧面上而引出的、连接到上述第2端子电极的第4引出部。