[发明专利]氮化硅只读存储器及其字线的制造方法

权利要求书

1、一种存储器的字线的形成方法，其特征在于，该方法包括：

提供一导体层；

在该导体层上形成一金属硅化物层；

在该金属硅化物层上形成一掩模图案，以定义出多个字线区域并露出该金属硅化物层的部分表面；

在该导体层上形成一掩模衬层，覆盖该掩模图案与该金属硅化物层的表面，以缩减该些字线区域之间的距离；

对该掩模衬层与该掩模图案进行一刻蚀制作工艺，直到露出该金属硅化物层的部分表面；以及

以该掩模衬层与该掩模图案作为掩模，刻蚀该金属硅化物层与该导体层，以形成多条字线，其中

该金属硅化物层中的硅含量≤2原子数/分子，以降低该多条字线之间的桥接故障率。

2、根据权利要求1所述的存储器的字线的形成方法，其特征在于，该金属硅化物层包括硅化钨层。

3、根据权利要求2所述的存储器的字线的形成方法，其特征在于，形成该金属硅化物层的方法包括进行一低压化学气相沉积制作工艺，该低压化学气相沉积制作工艺包括以二氯硅烷作为硅的来源气体以及以氟化钨作为钨的来源气体。

4、根据权利要求2所述的存储器的字线的形成方法，其特征在于，该硅化钨层中的硅的原子数/分子介于1.9～2之间。

5、根据权利要求1所述的存储器的字线的形成方法，其特征在于，形成该掩模图案的步骤包括：

利用化学气相沉积法在该金属硅化物层上形成一氧化层；以及

利用光刻刻蚀制作工艺，使该氧化层成为露出该金属硅化物层的部分表面的氧化物图案。

6、根据权利要求1所述的存储器的字线的形成方法，其特征在于，形成该掩模衬层的方法包括利用低压化学气相沉积法在反应气体为四乙氧基硅烷的情形下沉积一氧化薄膜。

7、根据权利要求1所述的存储器的字线的形成方法，其特征在于，形成该多个字线的步骤后更包括在该多个字线的侧壁上分别形成一保护薄膜。

8、一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在该衬底上形成多个电荷捕捉层；

在该多个电荷捕捉层两侧的该衬底中形成多个埋入式位线；

在该多个电荷捕捉层上形成一导体层；

在该导体层上形成一金属硅化物层；

在该金属硅化物层上形成一掩模图案，以定义出多个字线区域并露出该金属硅化物层的部分表面；

在该衬底上形成一掩模衬层，覆盖该掩模图案与该金属硅化物层的表面，以缩减该多个字线区域之间的距离；

对该掩模衬层与该掩模图案进行一刻蚀制作工艺，直到露出该金属硅化物层的部分表面；以及

以该掩模衬层与该掩模图案作为掩模，刻蚀该金属硅化物层与该导体层，以形成多个字线，其中

该金属硅化物层中的硅含量≤2原子数/分子，以降低该些字线之间的桥接故障率。

9、根据权利要求8所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于，该金属硅化物层包括硅化钨层。

10、根据权利要求9所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于，形成该金属硅化物层的方法包括进行一低压化学气相沉积制作工艺，该低压化学气相沉积制作工艺包括以二氯硅烷作为硅的来源气体以及以氟化钨作为钨的来源气体。

11、根据权利要求9所述的存储器的字线的形成方法，其特征在于，该硅化钨层中的硅的原子数/分子介于1.9～2之间。

12、根据权利要求8所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于，形成该掩模衬层的方法包括利用低压化学气相沉积法在反应气体为四乙氧基硅烷的情形下沉积一氧化薄膜。

13、根据权利要求8所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于，在该衬底上形成该多个电荷捕捉层的步骤包括：

在该衬底上形成一堆栈结构，该堆栈结构自该衬底包括一第一氧化层、一第一氮化层、一第二氧化层、一第二氮化层与一第三氧化层；以及

利用光刻刻蚀制作工艺，使该堆栈结构成为该多个电荷捕捉层。

14、根据权利要求8所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于，形成该多个字线的步骤后更包括在该多个字线的侧壁上分别形成一保护薄膜。