[发明专利]第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长无效
申请号: | 200710180864.6 | 申请日: | 2003-02-21 |
公开(公告)号: | CN101230489A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 马克·P·德维利恩;史蒂文·W·韦布;苏尔什·S·瓦加拉利;亚武兹·卡迪奥格卢;朴东实;陈征 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B29/38;C30B9/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈桉;封新琴 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | iii 金属 氮化物 晶体 高温 高压 生长 | ||
1.一种单晶或准单晶,其包括一种或多种氮化镓物质和内含物,其中
该内含物包括选自:元素周期表的第I主族、第II主族、第III副族至第VII副族、第VIII副族、第I副族、第II副族和第VII主族中的一种或多种元素,并且该内含物存在的浓度大于总重量的约50ppm。
2.权利要求1的单晶或准单晶,其中第I主族内含物包括Rb或Cs的其中之一或二者。
3.权利要求1的单晶或准单晶,其中第II主族内含物包括Ca、Sr或Ba中的一种或多种。
4.权利要求1的单晶或准单晶,其中选自第III副族至第VII副族的内含物包括Cr、Mo、Sc、W或Y中的一种或多种。
5.权利要求1的单晶或准单晶,其中选自第III副族至第VII副族的内含物包括Ti、Zr或Hf中的一种或多种。
6.权利要求1的单晶或准单晶,其中选自第III副族至第VII副族的内含物包括V、Ta或Nb中的一种或多种。
7.权利要求1的单晶或准单晶,其中第VIII副族内含物包括Ir、Ni、Pd、Pt或Rh中的一种或多种。
8.权利要求1的单晶或准单晶,其中第I副族内含物包括Cu、Ag或Au中的一种或多种。
9.权利要求1的单晶或准单晶,其中第II副族内含物包括Cd、Hg或Zn中的一种或多种。
10.权利要求1的单晶或准单晶,其中第VII主族内含物包括F、Cl、Br或I中的一种或多种。
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