[发明专利]第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长无效

专利信息
申请号: 200710180864.6 申请日: 2003-02-21
公开(公告)号: CN101230489A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 马克·P·德维利恩;史蒂文·W·韦布;苏尔什·S·瓦加拉利;亚武兹·卡迪奥格卢;朴东实;陈征 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B29/38;C30B9/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陈桉;封新琴
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: iii 金属 氮化物 晶体 高温 高压 生长
【权利要求书】:

1.一种单晶或准单晶,其包括一种或多种氮化镓物质和内含物,其中

该内含物包括选自:元素周期表的第I主族、第II主族、第III副族至第VII副族、第VIII副族、第I副族、第II副族和第VII主族中的一种或多种元素,并且该内含物存在的浓度大于总重量的约50ppm。

2.权利要求1的单晶或准单晶,其中第I主族内含物包括Rb或Cs的其中之一或二者。

3.权利要求1的单晶或准单晶,其中第II主族内含物包括Ca、Sr或Ba中的一种或多种。

4.权利要求1的单晶或准单晶,其中选自第III副族至第VII副族的内含物包括Cr、Mo、Sc、W或Y中的一种或多种。

5.权利要求1的单晶或准单晶,其中选自第III副族至第VII副族的内含物包括Ti、Zr或Hf中的一种或多种。

6.权利要求1的单晶或准单晶,其中选自第III副族至第VII副族的内含物包括V、Ta或Nb中的一种或多种。

7.权利要求1的单晶或准单晶,其中第VIII副族内含物包括Ir、Ni、Pd、Pt或Rh中的一种或多种。

8.权利要求1的单晶或准单晶,其中第I副族内含物包括Cu、Ag或Au中的一种或多种。

9.权利要求1的单晶或准单晶,其中第II副族内含物包括Cd、Hg或Zn中的一种或多种。

10.权利要求1的单晶或准单晶,其中第VII主族内含物包括F、Cl、Br或I中的一种或多种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司,未经通用电气公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710180864.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top