[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具有包括夹在第一、第二包层之间的产生光的活性层和形成第一包层侧的主表面的光取出层的多个半导体层，具有部分地覆盖所述光取出层的第一电极、覆盖所述主表面的相反面的第二电极、在第二包层和第二电极之间反射光的反射金属膜层、与该反射金属膜层的活性层侧相接的氧化物层、在该氧化物层中部分地形成的欧姆接触的接合部，其中，所述光取出层包括组成比例不同的多个层，这些多个层均形成有用于使所述主表面成为粗糙面的凹凸。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述光取出层的多个层中最外侧层的凹凸表面的倾斜小于第二外侧层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述光取出层的多个层中最外侧层的材料的Al组成比例小于第二外侧层的材料。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述光取出层的多个层中最外侧层的带隙能量小于第二外侧层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述光取出层的多个层的材料分别由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中0.3≤X≤1，0.4≤Y≤0.6。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述光取出层和第一包层的层厚之和为800～5300nm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述光取出层的材料的折射率大于第一包层的材料。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述光取出层和第一电极之间具有覆盖与第一电极相同的部分，带隙能量小于所述活性层，且对来自活性层的光不透明的第一电极侧接触层。

9.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一电极侧接触层的层厚为5～200nm。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述光取出层的多个层的材料的Al组成比例大于所述活性层的材料。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述光取出层的多个层的材料分别由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中0.3≤X≤1，0.4≤Y≤0.6，且所述活性层的材料由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中0≤X≤0.5，0.4≤Y≤0.6。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述活性层具有由20～160层的阱层构成的多重量子阱结构或者变形多重量子阱结构。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述活性层和第二包层之间具有第二包层侧未掺杂层。

14.根据权利要求13所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二包层侧未掺杂层的材料的Al组成比例大于所述活性层的材料。

15.根据权利要求13或14所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二包层侧未掺杂层的材料的带隙能量大于所述活性层的材料。

16.根据权利要求13～15中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二包层侧未掺杂层的材料由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中0.3≤X≤1，0.4≤Y≤0.6，且所述活性层的材料由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中0≤X≤0.5，0.4≤Y≤0.6。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，形成所述光取出层的多个层中最外侧层的层厚为50～1000nm。