[发明专利]一种光传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造光传感器的方法，该方法至少包含：

提供一基板，该基板具有一切换元件区及一电子元件区；

形成一栅极于该基板的该切换元件区上；

依序形成一栅极介电层、一半导体层及一电性提升层，以覆盖该栅极与该基板；

图案化该电性提升层及该半导体层，以于该栅极上方的该栅极介电层上形成一通道区；

依序形成一第一导电层、多层元件作用层及一第二导电层，以覆盖该栅极介电层与该通道区；

图案化该第二导电层及该些元件作用层，其中图案化后的该些元件作用层于该电子元件区处的第一导电层上形成一二极管堆迭，而图案化后的该第二导电层于该二极管堆迭上形成一光电极；

图案化该第一导电层，以于该通道区上方两侧形成一源/漏极，并露出部份该电性提升层；

形成一绝缘层，以覆盖该源/漏极、该二极管堆迭、以及该光电极；

图案化该绝缘层，以于该绝缘层中形成一开口，且该开口暴露出该光电极；

形成一第三导电层，以覆盖该绝缘层与该光电极；以及

图案化该第三导电层，使图案化后的该第三导电层覆盖该源/漏极上方的部份该绝缘层，并且沿该开口与该光电极靠近该源/漏极的一侧相连。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在图案化该第三导电层的步骤后，更包含形成一保护层，覆盖该绝缘层、该第三导电层以及该光电极。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，更包含图案化该保护层，使图案化后的该保护层覆盖该第三导电层，并于该二极管堆迭上方形成一照光开口，以露出部份该光电极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该些元件作用层包含一第一掺杂层、一本征半导体层以及一第二掺杂层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该电性提升层为一N型掺杂硅层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在图案化该第一导电层的该步骤后，形成该绝缘层的步骤前，更包含蚀刻该电性提升层，以露出部份该半导体层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该绝缘层厚度为至少为0.5μm。

8.如权利要求1项所述的方法，其中该绝缘层的材质为氮化硅、氮氧化硅或光阻。

9.一种光传感器，其具有至少一切换元件区及至少一电子元件区位于一基板的上，该光传感器至少包含：

一栅极，设置于该基板的该切换元件区上；

一栅极介电层，覆盖该栅极与该基板；

一通道区，设置于该栅极上方的该栅极介电层上；

一源/漏极，设置于该通道区两端上，并且覆盖该通道区下方两侧的该栅极介电层；

一二极管堆迭，设置于该电子元件区处的该源/漏极其中之一上；

一光电极，设置于该二极管堆迭上方；

一绝缘层，覆盖该源/漏极区、该通道区、该二极管堆迭以及该光电极，且该绝缘层具有一开口以暴露出该二极管堆迭上方的部份该光电极；以及

一偏压电极，设置于该源/漏极上方的部份该绝缘层上，并且沿该开口与该光电极靠近该源/漏极的一侧相连。

10.如权利要求9所述的光传感器，其特征在于，更包含一保护层，该保护层设置于该偏压电极以及该电子元件区处的该绝缘层上，且该保护层具有一照光开口，以露出部份该光电极。

11.如权利要求9所述的光传感器，其特征在于，该通道区包含：

一半导体层；以及

一电性提升层，该电性提升层设置于该半导体层两端上方。

12.如权利要求11所述的光传感器，其特征在于，该电性提升层为一N型掺杂硅层。

13.如权利要求9所述的光传感器，其特征在于，该二极管堆迭包含一第一掺杂层、一本征半导体层以及一第二掺杂层。

14.如权利要求9所述的光传感器，其特征在于，该绝缘层厚度为至少为0.5μm。

15.如权利要求9所述的光传感器，其特征在于，该绝缘层的材质为氮化硅、氮氧化硅或光阻。