[发明专利]共烧陶瓷模块

权利要求书

1、一种共烧陶瓷模块，包括：

陶瓷基板，具有至少一高导热材料；以及

至少一发热元件，设置于该陶瓷基板。

2、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板为低温共烧陶瓷基板、载板或电路板。

3、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板通过陶瓷材料、无机粘结剂、该高导热材料及其他所需材料混合配制为浆料，再利用一刮刀成型为生胚片，且在低于1000℃的温度下进行烧结而成。

4、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该高导热材料具有氮化铝、碳化硅、蓝宝石或氧化铍。

5、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该发热元件为发光二极管、太阳能电池、芯片、封装体、无源元件或有源元件。

6、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该发热元件以共金、焊锡或银胶而设置于该陶瓷基板。

7、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该发热元件与陶瓷基板通过倒装片接合、四方扁平封装体、表面安装技术或针栅阵列方式连结。

8、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板具有多个连接垫，该发热元件与这些连接垫直接连结或以引线键合或球栅阵列封装方式与这些连接垫连结。

9、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该发热元件引线键合于电路板。

10、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板的导电路径及导热路径为相同或不同方向。

11、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板具有至少一凹槽，该发热元件设置于该凹槽内。

12、如权利要求11所述的共烧陶瓷模块，其中该凹槽经由在一生胚片上打孔，再进行烧结而成。

13、如权利要求11所述的共烧陶瓷模块，其中该凹槽经由刨、刮、研磨或压印方式成型，再进行烧结，烧结后再进行细部研磨而成。

14、如权利要求11所述的共烧陶瓷模块，其中该凹槽经由先烧结一生胚片，再以刨、刮或研磨方式成型。

15、如权利要求11所述的共烧陶瓷模块，其中该凹槽经由在一生胚片上打孔，再以刨、刮、研磨或压印方式成型，再进行烧结，烧结后再进行细部研磨而成。

16、如权利要求11所述的共烧陶瓷模块，其中该凹槽经由在一生胚片上打孔，进行烧结，再以刨、刮或研磨方式成型。

17、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其还包含框架，设置于该陶瓷基板，且具有至少一凹槽，该发热元件设置于该凹槽内。

18、如权利要求17所述的共烧陶瓷模块，其中该框架的材料选自陶瓷、金属及高分子材料所构成的组。

19、如权利要求11或17所述的共烧陶瓷模块，其中该凹槽的内缘具有斜面、曲面、直立面或呈阶梯状。

20、如权利要求11或17所述的共烧陶瓷模块，其中该凹槽的内缘具有反射面。

21、如权利要求20所述的共烧陶瓷模块，其中该反射面由电镀、化学镀、涂布或转印而成型于该凹槽的内缘。

22、如权利要求11或17所述的共烧陶瓷模块，其中这些凹槽呈阵列设置。

23、如权利要求1所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板还具有至少一高导电材料。

24、如权利要求23所述的共烧陶瓷模块，其中该高导电材料包括银或银-钯。

25、如权利要求23所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板包括：

多层导热层，分别具有该高导热材料，该发热元件设置于其中的一层导热层；以及

多层导电层，分别具有该高导电材料，这些导电层分别与这些导热层交互设置，且该发热元件与至少其中的一层导电层电性连接。

26、如权利要求1或25所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板还包括金属层、至少一导热孔或至少一导电孔。

27、如权利要求25所述的共烧陶瓷模块，其中该陶瓷基板经由陶瓷材料、无机粘结剂、该高导热材料及其他所需材料混合配制为浆料；再利用刮刀成型为多个生胚片；在个别生胚片上利用网印技术形成电路图案，电路图案的材料具有该高导电材料；叠压这些生胚片，并在低于1000℃的温度烧结而成。