[发明专利]具有球形凹入沟道的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710181155.X | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101211788A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李民镛;殷庸硕;朴东洙;张准洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 许向华;彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 球形 沟道 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种用于制造具有球形凹入沟道的半导体器件的方法，包括：
形成掩模层在半导体基板上，以暴露能够形成用于球形凹入沟道的沟槽的区域；
形成该沟槽在该半导体基板中；
在该半导体基板的暴露区域中朝3-维径向以预定倾斜角注入掺杂离子；
移除该掩模层；
形成栅极堆在包括该沟槽的区域中；和
形成源极/漏极在该半导体基板中。
2.如权利要求1的方法，其中该掩模层具有从多晶硅膜、氧化物膜、氮化物膜和金属膜组成的组中选出的一层或多层的层叠结构。
3.如权利要求1的方法，其中该掩模层具有约500至约1000的厚度。
4.如权利要求1的方法，包括朝两个或更多方向以相对于该半导体基板的在X-轴或Y轴方向上的倾斜角实行该离子注入。
5.如权利要求4的方法，包括沿着每一倾斜角以等于总剂量除以倾斜角数目所获得的数量来实行该离子注入。
6.如权利要求4的方法，包括以-7°、0°和7°的倾斜角以及每一倾斜角1×1012离子/平方厘米的剂量来实行该离子注入。
7.如权利要求4的方法，包括通过改变该倾斜角同时维持除该倾斜角之外的条件以在原处实行该离子注入。
8.如权利要求4的方法，包括朝两个方向以相对于该X-轴方向的除0°的倾斜角同时固定相对于该Y-轴方向的角度来实行该离子注入。
9.如权利要求4的方法，包括朝两个方向以相对于该Y-轴方向的除0°的倾斜角同时固定相对于该X-轴方向的角度来实行该离子注入。
10.如权利要求4的方法，包括朝三个或更多方向以相对于该X-轴方向的包含0°的倾斜角同时固定相对于该Y-轴方向的角度来实行该离子注入。
11.如权利要求4的方法，包括朝三个或更多方向以相对于该Y-轴方向的包含0°的倾斜角同时固定相对于该X-轴方向的角度来实行该离子注入。
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