[发明专利]亚光刻纳米互联结构和形成该结构的方法

权利要求书

1.形成互联结构的方法，其包括：

提供包括位于介电材料上的已构图的硬掩模的结构，该硬掩模具有光刻所确定的开口；

形成至少一种包括第一聚合组分和第二聚合组分的自组装嵌段共聚物，该共聚物嵌入到所述至少一个光刻所确定的开口之内；

选择性地去除相对于另一种组分而言的所述第一或第二聚合组分中的一种，以在所述至少一种自组装嵌段共聚物中形成亚光刻开口；

将所述亚光刻开口转移到所述介电材料中；以及

用导电性材料来填装所述亚光刻开口。

2.权利要求1的方法，其中所述形成该至少一种嵌段共聚物包括以下步骤：将嵌段共聚物的层涂布到已构图的硬掩模上，其中该嵌段共聚物至少包括互相不溶的第一和第二聚合嵌段组分；及对嵌段共聚物进行退火以在所述已构图的硬掩模的至少一个光刻所确定的开口之内形成具有亚光刻宽度的第一单一单元聚合物嵌段，其中该第一单一单元聚合物嵌段包括第二聚合嵌段组分，并且嵌入在含第一聚合嵌段组分的聚合基体中。

3.权利要求1的方法，其中所述嵌段共聚物选自：聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PS-b-PMMA)，聚苯乙烯-嵌段-聚异戊二烯(PS-b-PI)，聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯(PS-b-PBD)，聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯基吡啶(PS-b-PVP)，聚苯乙烯-嵌段-聚环氧乙烷(PS-b-PEO)，聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯(PS-b-PE)，聚苯乙烯-b-聚有机硅酸酯(PS-b-POS)，聚苯乙烯-嵌段-聚二茂铁基二甲基硅烷(PS-b-PFS)，聚环氧乙烷-嵌段-聚异戊二烯(PEO-b-PI)，聚环氧乙烷-嵌段-聚丁二烯(PEO-b-PBD)，聚环氧乙烷-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PEO-b-PMMA)，聚环氧乙烷-嵌段-聚乙基乙烯(PEO-b-PEE)，聚丁二烯-嵌段-聚乙烯基吡啶(PBD-b-PVP)，及聚异戊二烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯(PI-b-PMMA)。

4.权利要求3的方法，其中该嵌段共聚物是PS∶PMMA重量比为约20∶80到约80∶20的PS-b-PMMA。

5.权利要求1的方法，其中所述嵌段共聚物的第二聚合共聚物组分包括垂直对准于所述介电材料的表面的柱体的有序排列。

6.权利要求1的方法，其中所述嵌段共聚物的第二聚合共聚物组分包括平行对准于所述介电材料的表面的柱体的有序排列。

7.权利要求1的方法，其中所述已构图的硬掩模包括至少一个光刻所确定的开口，其宽度为约60到约120nm，所述亚光刻开口的宽度为约10到约40。

8.形成互联结构的方法，其包括：

提供包括位于介电材料上的已构图的硬掩模的结构，其中所述已构图的硬掩模包括至少一个光刻所确定的开口；

将具有亚光刻宽度的具有第一单一单元聚合物嵌段的第一嵌段共聚物提供到至少一个光刻所确定的开口中，其中该第一单一单元聚合物嵌段包括第二聚合嵌段组分，该第二聚合嵌段组分嵌入于包括所述第一嵌段共聚物的第一聚合嵌段组分的聚合物基体中；

在至少一个光刻所确定的开口内的聚合物基体中选择性地去除相对于第一聚合嵌段组分而言的第二聚合嵌段组分，形成第一亚光刻开口；

使用该第一亚光刻开口来对该介电材料进行构图；

将具有亚光刻宽度的具有第二单一单元聚合物嵌段的第二嵌段共聚物提供到至少一个光刻所确定的开口中，其中该第二单一单元聚合物嵌段包括第二聚合嵌段组分，该第二聚合嵌段组分嵌入于包括所述第二嵌段共聚物的第一聚合物嵌段组分的聚合物基体中；

选择性地去除相对于所述第二嵌段共聚物的第一聚合嵌段而言的所述第二嵌段共聚物的第二聚合嵌段组分，以在至少一个光刻所确定的开口内的聚合物基体中形成第二亚光刻开口；

将所述第二亚光刻开口转移到所述介电材料中；以及

用导电性材料来填装第一和第二亚光刻开口。