[发明专利]半导体处理装置及其使用方法

权利要求书

1.一种半导体处理装置的使用方法，其特征在于，包括：

将氧化性气体和还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理装置的处理容器内的工序；

在所述处理容器内，在所述氧化性气体和所述还原性气体活化的第一环境下，使所述氧化性气体和所述还原性气体反应，产生活性种的工序；和

使用所述活性种，从所述处理容器的所述内面除去污染物质的工序。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述污染物质为包含金属的污染物质。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第一环境的温度设定为400～1100℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第一环境的压力设定为0.133～933Pa。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氧化性气体包含选自O₂、O₃和N_xQ_y(x、y为整数)中的1种以上的气体，所述还原性气体包含选自H₂、NH₃、CH₄、HCl、D(重氢)、D₂、ND₃、CD₄和DCl中的1种以上的气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在供给所述氧化性气体和所述还原性气体的工序前，将预备还原性气体供给没有收容产品用被处理基板的所述处理容器内，在所述预备还原性气体活化的预备环境下，对所述污染物质进行预备还原的工序。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述污染物质为包含金属氧化物的污染物质。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：

所述金属氧化物为选自Cu、Ni、Fe中的一种以上的氧化物。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述预备环境的温度设定为700～1000℃。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述预备环境的压力设定为0.133～15999pa。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述预备还原性气体为与所述还原性气体相同或不同的气体。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在供给所述氧化性气体和所述还原性气体的工序前，在所述处理容器内，利用CVD在产品用被处理基板上形成膜的工序。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述膜的工序和供给所述氧化性气体和所述还原性气体的工序之间，利用膜除去气体除去附着在所述处理容器的所述内面上的副生成物膜的工序。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于：

利用所述CVD形成膜的工序包括下述工序：向所述处理容器内供给包含含硅气体的第一成膜气体和包含选自氮化气体、氧化气体和氧氮化气体中的气体的第二成膜气体，形成选自硅氮化物、硅氧化物和硅氧氮化物中的物质的膜的工序。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于：

所述膜除去气体具有包含卤素元素和氢元素的气体。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述处理容器的所述内面以选自石英、碳化硅中的材料为主成分。