[发明专利]吸收率测量系统和方法有效

专利信息
申请号: 200710181381.8 申请日: 2007-10-23
公开(公告)号: CN101170368A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 木南克规;井山隆弘;大西辉夫 申请(专利权)人: 株式会社NTT都科摩
主分类号: H04B17/00 分类号: H04B17/00;G01R29/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 吸收率 测量 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种吸收率测量系统,其对在电介质中吸收的来自辐射源的电磁波的吸收率进行测量,所述系统包括:

测量部,其在作为所述电介质中的二维面的观察面上对第一电场矢量进行测量;

电场计算部,其根据在所述观察面上测量的所述第一电场矢量的电场分量,计算除了所述观察面以外的点中的第二电场矢量,所述电场分量与所述观察面平行;以及

计算部,其依据所计算的第二电场矢量来计算所述吸收率。

2.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述测量部包括包含有光电晶体的光学探针,以在所述电介质中的所述观察面上测量所述第一电场矢量的各个电场分量的振幅和相位。

3.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述测量部包括包含有小偶极天线和光波导调制器的电场探针,以在所述电介质中的所述观察面上测量所述第一电场矢量的各个电场分量的振幅和相位。

4.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述测量部包括多个探针,所述多个探针在所述电介质中的给定点处测量所述第一电场矢量的各个电场分量的振幅和相位。

5.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述电场计算部对根据第二外积和格林函数梯度的第一外积所得到的矢量进行面积分,以计算除了所述观察面以外的点中的所述第二电场矢量,所述第二外积为与所述观察面平行的所述电场分量和所述观察面的法向矢量的外积。

6.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述电磁波在除了面对所述辐射源的电介质面以外的所述电介质面上的入射可忽略不计;并且其中所述电介质足够大,以使得所述电介质内部的所述电磁波的反射可忽略不计。

7.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述测量部对与所述观察面平行的电场分量的振幅和相位进行测量。

8.根据权利要求7所述的吸收率测量系统,其中,所述测量部还对与所述观察面垂直的电场分量的振幅进行测量。

9.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,

其中,所述电场计算部计算在与所述观察面基本平行的估计面上的估计点处的所述第二电场矢量,其中当所述估计面在距所述观察面的预定距离之内时,所述估计点的数量与其中在所述观察面上测量的所述第一电场矢量的测量点的数量基本相同,并且当所述估计面在所述预定距离之外时,所述估计点的数量少于所述测量点的数量;并且

其中,所述计算部依据由所述电场计算部计算的所述估计面上的所述第二电场矢量来计算所述吸收率。

10.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,该吸收率测量系统还包括第一内插部,所述第一内插部执行内插以增加由所述电场计算部所计算的与所述观察面基本平行的估计面上的第二电场矢量数据元素的数量,以使其与其中所述电场测量部在所述观察面上测量所述第一电场矢量的测量点的数量基本相同;

其中,所述吸收率计算部依据其数量与所述测量点的数量相同的所述第二电场矢量数据元素来计算所述吸收率。

11.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,该吸收率测量系统还包括第二内插部,所述第二内插部执行内插以增加由所述吸收率计算部计算的吸收率数据元素的数量,以使其与其中所述电场测量部在所述观察面上测量所述第一电场矢量的测量点的数量基本相同。

12.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述电场计算部对与所述观察面基本平行的估计面上的估计点处的所述第二电场矢量进行计算,并且

其中,在所述观察面上所测量的所述测量点的间隔小于或等于所述观察面与所述估计面之间的距离。

13.根据权利要求1所述的吸收率测量系统,其中,所述电场计算部根据在所述观察面的部分区域上所测量的所述第一电场矢量来计算除了所述观察面以外的点中的所述第二电场矢量,所述部分区域包括其中获得所述最大电场或最大吸收率值的最大点。

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