[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成第一半导体芯片及相同于该第一半导体芯片的第二半导体芯片，其中该第一及该第二半导体芯片各包括：

识别电路；以及

多个输入/输出导电路径，连接至该第一及该第二半导体芯片单独的存储器电路，其中该多个输入/输出导电路径包括硅沟道；

将该第二半导体芯片的该识别电路编程为不同于该第一半导体芯片的该识别电路的状态；以及

将该第二半导体芯片接合至该第一半导体芯片上，其中该第一及该第二半导体芯片垂直对准，且该第一半导体芯片中的每一输入/输出导电路径连接至该第二半导体芯片中对应的输入/输出导电路径。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中每一输入/输出导电路径还包括第一及第二输入/输出焊盘，分别位于该第一及该第二半导体芯片的相对侧，且该第一及该第二输入/输出焊盘垂直对准。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括在同一晶片切割出该第一及该第二半导体芯片。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括对该第一及该第二半导体芯片的其中一个进行薄化。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：

提供相同于该第一及该第二半导体芯片的第三半导体芯片；

将该第三半导体芯片的识别电路编程为不同于该第一及该第二半导体芯片的识别电路的状态；以及

将该第三半导体芯片接合至该第二半导体芯片上。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该第二半导体芯片的该识别电路编程包括熔丝烧断。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括对该第一半导体的该识别电路进行编程。

8.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成第一存储器芯片及相同于该第一存储器芯片的第二存储器芯片，其中该第一及该第二存储器芯片各包括：

识别电路；以及

多个导电路径，连接至存储器电路及该识别电路，其中每一导电路径包括第一输入/输出焊盘及第二输入/输出焊盘，分别位于该第一及该第二存储器芯片的相对侧，且该第一及该第二输入/输出焊盘垂直对准；

对该第一存储器芯片的该识别电路进行编程；

将该第二存储器芯片的该识别电路编程为不同于该第一存储器芯片的该识别电路的状态；以及

通过将该第二存储器芯片的该第二输入/输出焊盘物理接合至该第一存储器芯片的该第一输入/输出焊盘，而将该第二存储器芯片叠加于该第一存储器芯片上，其中该第一及该第二存储器芯片垂直对准。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，还包括施加芯片选择信号，以选择该第一及该第二存储器芯片的其中一个，其中该芯片选择信号施加于部分的该多个导电路径，其连接至该第一及该第二存储器芯片的该识别电路。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，还包括在施加该芯片选择信号时，读取或写入该第一及该第二存储器芯片的其中一个。

11.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该第一及该第二存储器芯片的识别电路包括作为编程元件的熔丝，且该第一及该第二存储器芯片的识别电路的编程包括烧断所选择的熔丝。

12.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该第一及该第二存储器芯片的识别电路包括作为编程元件的闪存单元，且该第一及该第二存储器芯片的识别电路的编程包括将数据写入所选择的闪存单元。