[发明专利]减少噪声干扰的封装结构

说明书

技术领域

本发明是与封盖制程(cap package)有关，特别是关于一种减少噪声干扰的封装结构。

背景技术

封盖制程(cap package)受到广泛地应用，其目的主要是为了保护电子元件。已知的封装结构是以一金属盖进行封盖制程(cap package)，以达到上述目的；然而，金属盖在塑造形状上较不容易，多以拼装方式组成，在加工上较为耗时，且无法阻隔电磁干扰(electro-magnetic interference；EMI)，使得电子元件(例如：芯片)很容易受到噪声干扰而影响其工作效能，具有屏蔽效能(Shielding Effectiveness；SE)不佳的缺点。

综上所述，现有封装结构以金属盖进行封盖制程(cap package)具有上述缺点而有待改进。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种封装结构，具有减少噪声干扰的特色。

为达成上述目的，本发明所提供一种减少噪声干扰的封装结构，其特征在于，包含有：

一基板；

一盖体，是由硅基材掺杂非金属材料所制成，该盖体设于该基板而形成有一容室；以及

一芯片，设于该基板且位于该容室内。

其中该盖体的电阻系数小于10²Ω-m。

其中该盖体是为P型半导体，其所掺杂的非金属材料是为3A元素。

其中该盖体是为N型半导体，其所掺杂的非金属材料是为5A元素。

其中该基板具有一导接区，该导接区电性连接该盖体。

其中该导接区是进行接地。

其中该盖体是以离子布植方式制成。

其中该盖体具有一开口，该芯片具有一作用区是对应于该开口。

其中该基板具有一开口，该芯片具有一作用区是对应于该开口。

本发明的有益效果是：

本发明的封装结构，具有减少噪声干扰的特色。

附图说明

为了详细说明本发明的结构、特征及功效所在，以下结合二较佳实施例并配合附图说明如后，其中：

图1为本发明第一较佳实施例的硅基材盖体的结构示意图。

图2为本发明第一较佳实施例的硅基材盖体经过离子布植的结构示意图。

图3为本发明第一较佳实施例的结构示意图。

图4为本发明第二较佳实施例的结构示意图。

具体实施方式

首先请参阅图1至图3，其是为本发明第一较佳实施例所提供的减少噪声干扰的封装结构10，其主要包含有一基板20、一盖体30以及一芯片40。

该基板20具有一导接区22，该导接区22电性连接该盖体30且进行接地。

该盖体30是由一硅基材(Silicon)32掺杂(doping)非金属材料以离子布植方式所制成；其中，该盖体30是为P型半导体，由硅基材(Silicon)掺杂(doping)3A元素所制成。该盖体30的电阻系数(resistivity)是小于10²Ω-m(ohm-meter)；该盖体30盖合于该基板20而形成有一容室34；该盖体30具有一开口35。

该芯片40设于该基板20且位于该容室34内，该芯片具有一作用区42是对应于该开口35。其中，该作用区42为薄膜且位于该芯片40中央位置。

经由上述结构，本实施例所提供减少噪声干扰的封装结构10对该盖体30进行接地，能够隔绝来自外界的电磁干扰(electro-magnetic interference；EMI)，避免电磁干扰进入该容室34内，引起该芯片40与电磁干扰相互间的耦合作用；由此，本发明相较于现有者，其能克服现有以金属盖进行封盖制程(cap package)的缺点，具有减少噪声干扰的特色，能够对于电磁干扰(electro-magnetic interference；EMI)有效进行隔离。

请参阅图4，其是为本发明第二较佳实施例所提供减少噪声干扰的封装结构50，其与第一较佳实施例大体结构相同，同样包含有一基板60、一盖体70以及一芯片80；惟，其差异在于，该基板60具有一开口62，该芯片80的作用区82是对应于该基板60的开口62；该盖体30是为N型半导体，由硅基材(Silicon)掺杂(doping)5A元素所制成，且该盖体70则完全遮蔽该芯片80。

经由上述结构，本实施例所提供的减少噪声干扰的封装结构50，其主要揭示本实施例的开口62是位于该基板60，其与第一较佳实施例中的开口35所揭露位于该盖体30者不同；本实施例同样可以达到前述实施例所能达成的功效，并提供另一实施态样。