[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造具有金属-氧化物半导体结构的碳化硅半导体器件的方法，该方法包括：

制备由碳化硅制成的衬底(1)；

在所述衬底(1)上形成由碳化硅制成的沟道区(4)，其中所述沟道区提供电流通道；

在所述衬底(1)上形成位于电流通道的上游侧上的第一杂质区(6、7)；

在所述衬底(1)上形成位于所述电流通道的下游侧上的第二杂质区(1、13)；

在所述沟道区(4)的表面上形成栅极绝缘层(8)；

在所述栅极绝缘层(8)上形成栅电极(9)以形成半导体元件；

在所述半导体元件上形成膜以提供层间绝缘层(10)的材料；

在湿气氛中在大约700℃或以上的温度下执行回流工艺以便由所述膜形成所述层间绝缘层(10)；

在执行回流工艺之后将温度降到大约700℃或以下；

在温度降到大约700℃或以下之后将所述湿气氛改变为惰性气体气氛；以及

在所述惰性气体气氛中执行脱水工艺以便使所述层间绝缘层脱水，其中：

所述沟道区(4)提供所述半导体元件的沟道；并且

通过控制施加到所述栅电极(9)的电压来控制所述沟道以便控制在所述第一杂质区(6、7)与所述第二杂质区(1、13)之间流动的电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述惰性气体气氛包括氮气。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述惰性气体气氛包括氩气。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中：

以大约10℃/min或以下的降温速率来执行所述将温度降到大约700℃或以下。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中：

在以大约10℃/min或以下来降低温度的同时，执行所述脱水工艺。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

在以大约10℃/min或以下的固定速率来降低温度的同时，执行所述脱水工艺。

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述脱水工艺包括第一步骤和第二步骤；

在所述第一步骤以第一速率降低温度；

在所述第二步骤以第二速率降低温度；以及

所述第一速率为大约10℃/min或以下，而所述第二速率小于所述第一速率。

8.根据权利要求5所述的方法，其中

所述脱水工艺包括第一步骤和第二步骤；

在所述第一步骤以大约10℃/min或以下的降温速率将温度降到第一预定温度；以及

在所述第二步骤以大约10℃/min或以下的升温速率将温度从所述第一预定温度升高到第二预定温度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第二预定温度为大约700℃或以下。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述脱水工艺还包括第三步骤；以及

在所述第三步骤在预定时间内将温度保持在所述第二预定温度。

11.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述脱水工艺还包括在预定时间内将温度保持在预定温度的步骤。

12.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中：

将所述半导体元件形成在所述衬底(1)的表面A上。