[发明专利]多波长发光模块有效

专利信息
申请号: 200710181857.8 申请日: 2007-10-19
公开(公告)号: CN101413646A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 吴明哲 申请(专利权)人: 环隆电气股份有限公司
主分类号: F21V23/00 分类号: F21V23/00;F21V23/06;F21V5/04;F21V19/00;G03G15/04;F21W131/403;F21Y101/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 波长 发光 模块
【权利要求书】:

1.一种多波长发光模块,其特征在于,包括:

一电路板,其具有至少一输出/输入焊垫;

一驱动集成电路结构,其设置于该电路板上,并且该驱动集成电路结构的表面具有至少一凹槽;

一导电结构,其电性连接于该驱动集成电路结构及该至少一输出/输入焊垫之间;

一多波长发光二极管阵列组,其容置于该至少一凹槽内;

多个导电元件,其分别电性连接于该驱动集成电路结构及该多波长发光二极管阵列组之间;以及

一光放大器结构,其设置于该多波长发光二极管阵列组的上端,以用于接收从该多波长发光二极管阵列组所投射出来的光源,且该光放大器结构为该多波长发光二极管阵列组所共享。

2.如权利要求1所述的多波长发光模块,其特征在于,更进一步包括:一粘着元件,其设置于该多波长发光二极管阵列组与该驱动集成电路结构之间。

3.如权利要求1所述的多波长发光模块,其特征在于:该多波长发光二极管阵列组具有三个分别具有不同波长的第一波长发光二极管阵列、第二波长发光二极管阵列、及第三波长发光二极管阵列,该第一、第二、第三波长发光二极管阵列彼此并列,并且该第二波长发光二极管阵列设置于该第一波长发光二极管阵列及该第三波长发光二极管阵列之间。

4.如权利要求3所述的多波长发光模块,其特征在于:该驱动集成电路结构的两侧具有多个驱动集成电路焊垫,该第一、第二、第三波长发光二极管阵列分别具有多个发光二极管焊垫以及多个发光二极管晶粒,所述的发光二极管焊垫位于该第一、第二、第三波长发光二极管阵列的两侧,该第一波长发光二极管阵列的两侧具有多个发光二极管焊垫及多个发光二极管晶粒,该第一波长发光二极管阵列的所述的发光二极管晶粒分别电性连接于该第一波长发光二极管阵列的其中一侧的发光二极管焊垫,该第二波长发光二极管阵列的所述的发光二极管晶粒分别电性连接于该第二波长发光二极管阵列的所述的相对应的发光二极管焊垫,并且该第三波长发光二极管阵列的所述的发光二极管晶粒分别电性连接于该第三波长发光二极管阵列的其中一侧的发光二极管焊垫。

5.如权利要求4所述的多波长发光模块,其特征在于:所述的导电元件的第一部分分别电性连接于其中一侧的所述的驱动集成电路焊垫与该第一波长发光二极管阵列的其中一侧的所述的发光二极管焊垫之间,所述的导电元件的第二部分分别电性连接于该第一波长发光二极管阵列的另一侧的所述的发光二极管焊垫与该第二波长发光二极管阵列的其中一侧的所述的发光二极管焊垫之间,所述的导电元件的第三部分分别电性连接于该第二波长发光二极管阵列的另一侧的所述的发光二极管焊垫与该第三波长发光二极管阵列的其中一侧的所述的发光二极管焊垫之间,并且所述的导电元件的第四部分分别电性连接于该第三波长发光二极管阵列的另一侧的所述的发光二极管焊垫与另外一侧的所述的发光二极管焊垫之间。

6.如权利要求3所述的多波长发光模块,其特征在于:所述的每两个发光二极管阵列之间形成一介于5~10微米的第一宽度间隙。

7.如权利要求6所述的多波长发光模块,其特征在于:该多波长发光二极管阵列组与该驱动集成电路结构之间形成两个介于5~10微米的第二宽度间隙。

8.如权利要求7所述的多波长发光模块,其特征在于,更进一步包括:用以覆盖该两个第一宽度间隙及该两个第二宽度间隙的绝缘层。

9.如权利要求1所述的多波长发光模块,其特征在于:该光放大器结构为一半导体光放大器。

10.如权利要求1所述的多波长发光模块,其特征在于:该光放大器结构由一用于接收从该多波长发光二极管阵列组所投射出来的光源的光放大器及一设置于该光放大器侧边的反射元件所组成。

11.如权利要求1所述的多波长发光模块,其特征在于:该光放大器结构为一光纤导管。

12.如权利要求1所述的多波长发光模块,其特征在于:该光放大器结构为一使得该光源转向的光纤导管。

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