[发明专利]显示装置的制造方法以及蚀刻设备

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成绝缘层；

配置与所述绝缘层接触的管子；

通过所述管子向所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝缘层中形成到达所述第一导电层的开口；以及

至少在所述开口中形成与所述第一导电层接触的第二导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过经所述管子放出包含导电材料的组合物来形成所述第二导电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂在从所述管子被放出之后，通过所述管子被吸附并被除去。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述管子为针状。

5.根据权利要求1所示的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂是蚀刻气体或蚀刻液。

6.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层中戳入管子以形成第一开口；

通过所述管子向所述第一绝缘层供应处理剂，以在所述第一绝缘层中形成到达所述第一导电层的第二开口；以及

至少在所述第一开口及所述第二开口中形成与所述第一导电层接触的第二导电层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过经所述管子放出包含导电材料的组合物来形成所述第二导电层。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂在从所述管子被放出之后，通过所述管子被吸附并被除去。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述管子为针状。

10.根据权利要求6所示的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂是蚀刻气体或蚀刻液。

11.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

形成栅电极层；

形成与所述栅电极层邻接的栅极绝缘层；

形成与所述栅极绝缘层邻接的半导体层；

形成与所述半导体层邻接的源电极层及漏电极层；

在所述源电极层及所述漏电极层上形成绝缘层；

配置与所述绝缘层接触的管子；

通过经所述管子给所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝缘层中形成到达所述源电极层或所述漏电极层的开口；以及

至少在所述开口中形成与所述源电极层或所述漏电极层接触的像素电极层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂在从所述管子被放出之后，通过所述管子被吸附并被除去。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述管子为针状。

14.根据权利要求11所示的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂是蚀刻气体或蚀刻液。

15.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

形成具有源极区域及漏极区域的半导体层；

在所述半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成绝缘层；

使用第一管子在所述绝缘层中形成第一开口；

通过经所述第一管子向所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝缘层及所述栅极绝缘层中形成到达所述源极区域的第二开口；

至少在所述第一开口及所述第二开口中形成与所述源极区域接触的源电极层；

使用第二管子在所述绝缘层中形成第三开口；

通过经所述第二管子向所述绝缘层供应处理剂，以在所述绝缘层及所述栅极绝缘层中形成到达所述漏极区域的第四开口；以及

至少在所述第三开口及所述第四开口中形成与所述漏极区域接触的漏电极层。

16.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂在从所述第一管子及所述第二管子被放出之后，通过所述第一管子及所述第二管子被吸附并被除去。