[发明专利]发光二极管的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，制造方法至少包括：

提供基板(100)；

将所述基板(100)放置于第一溶液内进行反应，使其表 面自然形成化学反应层(110)；

然后以所述化学反应层(110)作为遮罩，对所述基板 (100)进行选择性蚀刻，使所述基板(100)表面无所述化学 反应层(110)处形成多个凹部(120)，与上方有所述化学反 应层(110)的多个凸部(130)；

再将所述基板(100)放置于第二溶液内蚀刻，除去所述 化学反应层(110)，形成所述凹部(120)与凸部(130)的 不规则几何形状于所述基板(100)表面；

然后将所述基板(100)表面清洁干净之后，于所述基板 (100)表面上形成半导体发光结构(200)，且利用侧向成长 磊晶技术使所述半导体发光结构(200)填平前述的凹部(120) 且无任何孔洞形成。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基板(100) 是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝和氮化镓基板其中之 一。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一溶液 和第二溶液是酸性溶液族群、碱性溶液族群至少一种材料及其 族群的组合其中之一。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述酸性溶液 族群是氢氟酸、硫酸、盐酸、磷酸、硝酸、王水、二氧化硅蚀 刻剂、铝蚀刻液、过氧化氢、甲酸、乙酸、丁二酸及柠檬酸。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述碱性溶液 族群是氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化钙、氢氧化铵、氢氧化四 甲基铵溶液。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基板(100) 放置于所述第一溶液与所述第二溶液的时间是1秒钟至200 分钟。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述选择性蚀 刻是干式蚀刻法、湿式蚀刻法及其混合使用法其中之一。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹部(120) 与凸部(130)的高度差为0.1微米至15微米。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体发 光结构(200)依序磊晶结合至少一n型半导体层(210)、一 活性层(220)与至少一p型半导体层(230)，其中所述活性 层(220)作为发光区形成于所述n型半导体层(210)与所述 p型半导体层(230)之间，且所述p型半导体层(230)与p 型欧姆接触电极(231)电连接，所述n型半导体层(210)与 n型欧姆接触电极(211)电连接，用以提供顺向偏压，所述 活性层(220)是双异质接面构造、单量子井结构及多量子井 结构其中之一。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基板(100) 在置入所述第一溶液前进一步包括预先处理制程。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述预先处 理制程成长钝化层(300)于所述基板(100)表面上。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层 (300)的厚度为至10μm。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层 (300)材料为硅、氮化硅、氧化硅、氧化铝、金属、光阻、 苯环丁烯、聚亚酰胺的单层、多层结构及其所组合的族群之一。

14.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层 (300)进一步通过黄光微影制成周期性图案，外露部分所述 基板(100)表面。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层 (300)的周期性图案为圆形、多边形及其组合的周期性图案。