[发明专利]一种像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，适于架构于一透明基板上，其特征在于：该像素结构包括：

一扫描配线，配置在该透明基板上；

一栅绝缘层，配置于该透明基板上，并覆盖住该扫描配线；

一数据配线，配置于该栅绝缘层上，且该数据配线所延伸的方向垂直于该扫描配线所延伸的方向；

一遮光层，配置在该透明基板上，并分别相对独立配置在该数据配线的两侧，其中该数据配线两侧的该遮光层彼此电性连接；

一薄膜晶体管，配置于该透明基板上，该薄膜晶体管包括一栅极、一信道层与一源极/漏极，其中该源极与该数据配线电性连接，该栅极与该扫描配线电性连接，该信道层配置在该栅极上方的该栅绝缘层上；

一保护层，配置于该透明基板的上方，覆盖住该薄膜晶体管与该数据配线；

一接触窗，配置在该保护层中；

一像素电极，配置于该保护层上，其中该像素电极通过该接触窗而与该漏极电性连接；

其中，在该遮光层与该像素层电极之间，设置有该栅绝缘层及保护层。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该遮光层包括：

一遮光部，分别配置配置在该数据配线的两侧；

一连接部，将配置在该数据配线两侧的该遮光部呈H状连接起来。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：还包括一介电层，配置在该数据配线与该遮光层上方的该栅绝缘层之间。

4.如权利要求1、2或3所述的像素结构，其特征在于：该遮光层为遮光金属层。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于：该遮光层的材质与该栅极及该扫描配线的材质相同。

6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于：该介电层为一氮化硅层。

7.一种像素结构的制造方法，其特征在于：包括：

在一透明基板上形成一栅极以及与该栅极连接的一扫描配线，并且同时在该透明基板上形成一遮光层，其中该遮光层分别相对独立形成在一预定形成数据配线处的两侧，且将形成在该预定形成数据配线处两侧的该遮光层彼此电性连接；

在该透明基板上形成一栅绝缘层，覆盖住该栅极、该扫描配线以及该遮光层；

在该栅极的该栅绝缘层上形成一信道层；

在该信道层上形成一源极/漏极，并且同时在该栅绝缘层上形成与该源极连接的一数据配线，其中栅极、该信道层以及该源极/漏极构成一薄膜晶体管；

在该透明基板的上方形成一保护层，覆盖住该薄膜晶体管以及该数据配线；

在该保护层中形成一开口，暴露出该漏极；

在该保护层上形成一像素电极，其中该像素电极通过该开口而与该漏极电性连接；

在该遮光层与该像素层电极之间，设置有该栅绝缘层及保护层。

8.如权利要求7所述的像素结构的制造方法，其特征在于：

该遮光层通过一连接部将形成在该预定形成数据配线处两侧的一遮光部呈H状连接起来。

9.如权利要求7所述的像素结构的制造方法，其特征在于：还包括在该遮光层上的该栅绝缘层上形成一介电层的步骤。

10.如权利要求7、8或9所述的像素结构的制造方法，其特征在于：该遮光层为遮光金属层。

11.如权利要求10所述的像素结构的制造方法，其特征在于：该遮光层的材质与该栅极及该扫描配线的材质相同。

12.如权利要求9所述的像素结构的制造方法，其特征在于：该介电层为一氮化硅层。