[发明专利]光学预制件的制备方法无效
| 申请号： | 200710182126.5 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101172751A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | R·H·M·达克斯;M·J·N·范斯特拉伦;J·A·哈特苏伊克 | 申请（专利权）人： | 德雷卡通信技术公司 |
| 主分类号： | C03B8/04 | 分类号： | C03B8/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 荷兰阿姆*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 预制件 制备 方法 | ||
1.一种通过在基管内进行一个或多个化学气相沉积反应来制备光学预制件的方法，该方法包括以下步骤：
i)向所述基管提供一种或多种已掺杂的或未掺杂的玻璃成形前体，以及
ii)在所述基管中引发步骤i)中提供的反应物之间的反应，使得所述基管的内部上形成一个或多个玻璃层，其中步骤ii)包括仅创建在所述基管内部中的脉冲等离子区，
其特征在于：在所述基管内部形成的所述等离子区是采用＞100Hz的频率、在0.001-5毫秒的周期A中有效的最大等离子功率以脉冲形式实现的。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将所述有效的等离子功率设置为这样一个值，该值对应于非脉冲的等离子功率时获得的在所述基管内部中玻璃层的沉积速度。
3.根据前述权利要求1-2中的一个或两个所述的方法，其特征在于：所述频率不低于1500Hz。
4.根据前述权利要求1-3中的任意一个或多个所述的方法，其特征在于：将所述脉冲等离子区采用的峰值功率设置为某值，使得所述玻璃层的沉积速度不低于2.0g/min。
5.根据前述权利要求中的任意一个或多个所述的方法，其特征在于：将所述等离子功率设置为低于最大功率的值，持续不超过5毫秒的周期B。
6.根据前述权利要求中的任意一个或多个所述的方法，其特征在于：将所述等离子功率设置为低于最大功率的值，持续不超过1毫秒的周期B。
7.根据权利要求5-6中的任意一个或多个所述的方法，其特征在于：周期B中的所述等离子功率小于周期A中所述等离子功率的50％。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：周期B中的所述等离子功率小于周期A中所述等离子功率的25％。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：周期B中的所述等离子功率小于周期A中所述等离子功率的10％。
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