[发明专利]半导体制造方法及半导体激光元件制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，在将III族元素原料、V族元素原料、Mg掺杂物原料分别从III族元素原料容器、V族元素原料容器、掺杂物原料容器通过III族元素原料运输路径、V族元素原料运输路径、掺杂物原料运输路径输送到反应区域，在上述反应区域使III族元素原料和V族元素原料发生反应，以使Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长，其特征在于：

在上述III族元素原料运输路径、V族元素原料运输路径、掺杂物原料运输路径分别设置III族元素供给/不供给切换部、V族元素供给/不供给切换部、掺杂物供给/不供给切换部，来切换通过该运输路径的原料向上述反应区域供给和不供给，

从上述III族元素原料容器、V族元素原料容器通过上述III族元素供给/不供给切换部、V族元素供给/不供给切换部向上述反应区域分别供给上述III族元素原料、V族元素原料，另一方面在通过上述掺杂物供给/不供给切换部停止向上述反应区域供给Mg掺杂物原料的状态下，使未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层结晶生长之后，

在使上述Mg掺杂III-V族化合物半导体层结晶生长之前，设置预流期间，通过上述III族元素供给/不供给切换部停止向上述反应区域供给上述III族元素原料，另一方面，从上述V族元素原料容器、掺杂物原料容器通过上述V族元素供给/不供给切换部、掺杂物供给/不供给切换部向上述反应区域分别供给上述V族元素原料、Mg掺杂物原料。

2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，上述各III-V族化合物半导体层是AlGaInP层。

3.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，在上述预流期间内，可变地设定上述Mg掺杂物原料的供给量。

4.如权利要求3所述的半导体制造方法，其特征在于，

将上述预流期间二分为第一预流期间和随后的第二预流期间，

在上述第一预流期间，将上述Mg掺杂物原料的供给量设定为比一入料量多的第一流量，

在上述第二预流期间，将来自于上述Mg掺杂物原料容器的上述Mg掺杂物原料的供给量设定为与上述入料量相同的第二流量。

5.如权利要求3所述的半导体制造方法，其特征在于，

将上述预流期间二分为第一预流期间和随后的第二预流期间，

在上述第一预流期间，将上述Mg掺杂物原料的供给量设定为使上述Mg掺杂III-V族化合物半导体层中Mg的活化率为50％以下的第一流量，

在上述第二预流期间，将上述Mg掺杂物原料的供给量设定为使上述Mg掺杂III-V族化合物半导体层中Mg的活化率为80％以上的第二流量。

6.如权利要求3所述的半导体制造方法，其特征在于，

将上述预流期间二分为第一预流期间和随后的第二预流期间，

使在上述第一预流期间设定的上述Mg掺杂物原料的供给量为在上述第二预流期间设定的上述Mg掺杂物原料的供给量的5倍以上20倍以下的值。

7.如权利要求3所述的半导体制造方法，其特征在于，

将上述预流期间二分为第一预流期间和随后的第二预流期间，在上述第一预流期间将上述Mg掺杂物原料的供给量设定为第一流量，在上述第二预流期间将上述Mg掺杂物原料的供给量设定为第二流量，

将上述第一预流期间的长度设定为比第二预流期间的长度短，并且将上述第一流量和上述第一预流期间长度的积设定为比上述第二流量和上述第二预流期间长度的积大。

8.如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，上述Mg掺杂物原料是双-茂基镁或二-乙基茂基镁。

9.一种半导体激光元件制造方法，包括如权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，

包括在n型GaAs基板上，通过MOCVD法按顺序使n型AlGaInP包层、多重量子阱有源层、作为上述未掺杂Mg的III-V族化合物半导体层的未掺杂AlGaInP包层、和作为上述Mg掺杂III-V族化合物半导体层的Mg掺杂AlGaInP包层结晶生长的工序，

在使上述未掺杂AlGaInP包层生长之后，在使上述Mg掺杂AlGaInP包层生长之前，设置上述预流期间。