[发明专利]存储卡以及在存储卡上存储数据的方法有效

专利信息
申请号: 200710182156.6 申请日: 2007-08-06
公开(公告)号: CN101145385A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 金敬爱 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G06F3/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 存储 以及 数据 方法
【权利要求书】:

1.一种被配置为与主机连接的存储卡,所述存储卡包括:

NAND闪存,包括多页,每页包括多扇区;以及

存储控制器,用于从主机以扇区为单位接收扇区数据和对应扇区地址,并根据扇区地址,直接或经由缓存向NAND闪存传送扇区数据。

2.权利要求1的所述存储卡,其中存储控制器包括:

第一数据总线,用于经由缓存传送扇区数据;以及

第二数据总线,用于直接向NAND闪存传送扇区数据。

3.权利要求2的所述存储卡,其中当扇区地址是用于存取所选页中的第一扇区的地址时,存储控制器启动第一数据总线。

4.权利要求2的所述存储卡,其中当扇区地址是用于存取所选页中除了第一扇区之外的扇区的地址时,存储控制器启动第二数据总线。

5.权利要求2的所述存储卡,其中存储控制器进一步包括:控制单元,用于响应扇区地址启动第一数据总线和第二数据总线之一。

6.权利要求5的所述存储卡,其中控制单元包括:

地址寄存器,用于存储所定义的扇区地址;

选择器,用于比较扇区地址和所定义的扇区地址,并根据比较结果选择第一数据总线和第二数据总线之一;以及

存储器直接访问(DMA)控制器,用于中断中央处理器(CPU)并控制第一数据总线和第二数据总线。

7.权利要求1的所述存储卡,其中每一页具有2KB大小且每一扇区具有512B大小。

8.权利要求1的所述存储卡,其中缓存包括双端口存储器。

9.权利要求8的所述存储卡,其中缓存包括静态随机存取存储器(SRAM)。

10.权利要求8的所述存储卡,其中缓存包括动态随机存取存储器(DRAM)。

11.一种在存储卡中存储数据的方法,所述存储卡包括NAND闪存和存储控制器,NAND存储器包括多页且所述多页中的每一页包括多个扇区,而且存储控制器从主机以扇区为单位接收数据并向NAND闪存传送扇区数据,所述方法包括:

从主机接收写指令和扇区地址;

根据写指令和扇区地址直接或经由缓存向NAND闪存传送对应于扇区地址的扇区数据;以及

在NAND闪存的所选页中存储多个所传送的扇区数据作为页面数据。

12.权利要求11的所述方法,其中存储控制器包括用于经由缓存传送数据的第一数据总线和用于直接向NAND闪存传送数据的第二数据总线,所述方法进一步地包括:

当扇区地址包括用于存取所选页中的第一扇区的第一扇区地址时,启动用于向NAND闪存传送扇区数据的第一数据总线。

13.权利要求12的所述方法,进一步包括:

当扇区地址包括除了第一扇区地址之外的扇区地址,用于在所选页中存取除了第一扇区之外的扇区时,启动用于向NAND闪存传送扇区数据的第二数据总线。

14.权利要求12的所述方法,进一步包括:

当扇区地址包括第一扇区地址而且在另一个页上的写入操作正在进行时,完成在另一页上的写入操作。

15.权利要求11的所述方法,其中每一扇区具有512B大小且每一页具有2KB大小。

16.一种存储卡,包括:

NAND闪存,包括多个页,每一页包括多个扇区;以及

存储控制器,用于从主机接收扇区数据和对应扇区地址,当扇区地址是用于存取所选页中的第一扇区的地址时,存储控制器能够经由缓存通过第一数据总线向NAND闪存传送扇区数据,而且当扇区地址是用于在所选页中存取除了第一扇区之外的扇区的地址时,存储控制器能够绕过缓存通过第二数据总线向NAND闪存传送扇区数据。

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