[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一绝缘膜，其设置在单元晶体管区域中的半导体衬底上；

第一导电膜，其设置在所述第一绝缘膜上；

电极间绝缘膜，其设置在所述第一导电膜上；

第二导电膜，其设置在所述电极间绝缘膜上，并在其顶表面上具有第一金属硅化物膜；

第一源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的表面上，并夹住在所述第一绝缘膜之下的区域；

第二绝缘膜，其设置在选择栅极晶体管区域和外围晶体管区域中的至少一个中的所述半导体衬底上；

第三导电膜，其设置在所述第二绝缘膜上，并且在其顶表面上具有第二金属硅化物膜，所述第二金属硅化物膜具有比所述第一金属硅化物膜的厚度小的厚度；以及

第二源极/漏极区域，其形成在所述半导体衬底的所述表面上，并夹住在所述第二绝缘膜之下的区域。

2.根据权利要求1的器件，其特征在于：

所述第二金属硅化物膜还形成在所述第三导电膜的每一个侧表面上，以及

在所述第三导电膜的侧表面上的所述第二金属硅化物膜沿垂直方向的厚度等于所述第一金属硅化物膜的厚度。

3.根据权利要求2的器件，其特征在于：

所述第三导电膜包括：覆盖所述第二绝缘膜的顶表面的第一部分、设置在所述第一部分之上并具有开口的第二部分，以及设置在所述第二部分之上和在所述开口中的第三部分，以及

所述第二金属硅化物膜在所述第三导电膜的所述第三部分的顶表面和侧表面上整体地延伸。

4.根据权利要求1的器件，其特征在于：

所述第二导电膜包括：覆盖所述电极间绝缘膜的顶表面的第一部分，和覆盖所述第一部分的顶表面的第二部分，以及

所述第一金属硅化物膜占据所述第二导电膜的所述第二部分的整个部分。

5.根据权利要求1的器件，其特征在于：

所述第三导电膜的宽度大于所述第一导电膜的宽度。

6.根据权利要求1的器件，其特征在于还包括：

多个层叠的栅极结构，每一个具有所述第一导电膜、所述电极间绝缘膜、以及包括所述第一金属硅化物膜的所述第二导电膜。

7.根据权利要求6的器件，其特征在于还包括：

侧壁绝缘膜，形成在多个层叠的栅极结构之间、并且形成在所述第三导电膜的侧表面上，

其中所述侧壁绝缘膜的上表面高于所述电极间绝缘膜和所述第二导电膜的上表面。

8.根据权利要求7的器件，其特征在于：

形成在多个所述层叠的栅极结构之间的所述侧壁绝缘膜的所述上表面等于形成在第三导电膜的所述侧表面上的所述侧壁绝缘膜的上表面。

9.根据权利要求7的器件，其特征在于：

所述侧壁绝缘膜的下表面低于所述第一导电膜的下表面。

10.根据权利要求7的器件，其特征在于还包括：

空隙，其具有位于所述侧壁绝缘膜的上表面处的开口，并延伸到所述侧壁绝缘膜的中间，以及

二氧化硅膜，其覆盖所述第二导电膜的所述上表面和侧表面，并覆盖所述侧壁绝缘膜。

11.根据权利要求10的器件，其特征在于：

所述二氧化硅膜被形成在所述空隙中。

12.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一绝缘膜，其设置半导体衬底上；

第一导电膜，其设置在所述第一绝缘膜上；

第一电极间绝缘膜，其设置在所述第一导电膜上；

第二导电膜，其设置在所述第一电极间绝缘膜上，并在其顶表面和侧表面上具有第一金属硅化物膜，在所述第二导电膜的每一个侧表面上的所述第一金属硅化物膜比在所述第二导电膜的中心处的所述第一金属硅化物膜厚；以及

第一源极/漏极区域，其设置在所述半导体衬底的表面上，并夹住在所述第一绝缘膜之下的区域。