[发明专利]基板的分割方法

说明书

本申请是2003年3月6日递交的发明名称为“基板的分割方法”的申请03805866.9的分案申请

技术领域

本发明涉及在半导体装置制造工序等中，用于分割半导体基板等的基板的基板分割方法。

背景技术

随着近年来半导体装置的小型化，半导体装置的制造工序中，有时半导体基板的厚度可薄型化至数十μm左右。用刀片切断分割这样薄型化的半导体基板时，与半导体基板较厚的情况相比，存在以下问题：碎屑或破裂的发生增加、通过分割半导体基板而得到的半导体芯片的成品率减低。

作为解决这类问题的半导体基板的分割方法，已知有在特开昭64-38209号公报及特开昭62-4341号公报中记载的方法。

这些公报中记载的方法就是，对表面形成功能元件的半导体基板，从该表面侧用刀片开槽，然后，在该表面贴附粘接片并保持半导体基板，通过研磨半导体基板的背面直至预先形成的槽，对半导体基板进行薄型化处理，同时，将半导体基板分割。

发明内容

但是，按照上述公报中记载的方法，用平面研削进行半导体基板的背面的研磨时，平面研削面在到达预先形成于半导体基板的槽时，在该槽的侧面有发生碎屑或破裂的危险。

因此，本发明是针对这类问题提出的，目的在于提供能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。

为实现上述目的，与本发明相关的基板的分割方法，其特征在于，具有：在基板内部使聚光点聚合并照射激光，在基板内部形成由多光子吸收生成的调质领域，利用该调质领域，在距基板的激光入射面规定距离内侧，沿基板的切割预定线，形成切割起点领域的工序，以及形成切割起点领域工序后，研磨基板至规定的厚度的工序。

按照该基板的分割方法，在形成切割起点领域的工序中，在基板内部使聚光点聚合并照射激光，在基板内部使称为多光子吸收的现象发生，形成调质领域，因此，可利用该调质领域，在基板内部沿应切割基板的期望的切割预定线，形成切割起点领域。在基板内部形成切割起点领域时，自然地或用较小的力、以切割起点领域作为起点、在基板的厚度方向发生裂口。

而且，在研磨基板的工序中，在基板内部形成切割起点领域后，研磨基板使基板厚度成为规定的厚度，此时，研磨面即使到达以切割起点领域作为起点发生的裂口，由于以该裂口切断的基板的切断面相互紧靠在一起，所以能防止研磨产生的基板的碎屑或破裂。

因此，能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割。

这里，所谓聚光点，是激光聚光的部位。此外，所谓研磨，包含切削、研削及化学蚀刻等。另外，所谓切割起点领域，是指基板切断时作为切割起点的领域。因此，切割起点领域是基板中预定切割的切割预定部。而且，切割起点领域，行时可通过连续地形成调质领域形成，有时可通过断续地形成调质领域形成。

此外，作为基板，有硅基板及GaAs基板等的半导体基板，及蓝宝石基板和AlN基板等的绝缘基板。而且，作为基板为半导体基板时的调质领域，有例如经过溶融处理的领域。

此外，优选在基板表面形成功能元件，在研磨基板的工序中，研磨基板背面。由于能在功能元件形成后研磨基板，例如就能对应于半导体装置的小型化，获得薄型化的芯片。这里，所谓功能元件，是指光电二极管等的受光元件及激光二极管等的发光元件，或作为电路形成的电路元件等。

此外，研磨基板的工序，优选包含在基板背面实施化学蚀刻的工序。在基板背面实施化学蚀刻时，当然能使基板背面更加平滑，但由于以切割起点领域作为起点发生的裂口引起的基板的切断面相互紧靠在一起，所以，仅对该切断面的背面侧的边缘部有选择地进行蚀刻，取倒角状态。因此，可使分割基板获得的芯片的抗折强度提高，同时，可防止芯片中的碎屑或破裂的发生。

附图说明

图1是采用本实施方式的激光加工方法的激光加工中的加工对象物的平面图。

图2是图1所示的加工对象物的沿II-II线的截面图。

图3是采用本实施方式的激光加工方法的激光加工后的加工对象物的平面图。

图4是图3所示的加工对象物的沿IV-IV线的截面图。

图5是图3所示的加工对象物的沿V-V线的截面图。

图6是采用本实施方式的激光加工方法切割的加工对象物的平面图。

图7是表示本实施方式的激光加工方法中的电场强度与裂口点的大小的关系的图形。

图8是本实施方式的激光加工方法的第1工序中的加工对象物的截面图。

图9是本实施方式的激光加工方法的第2工序中的加工对象物的截面图。

图10是本实施方式的激光加工方法的第3工序中的加工对象物的截面图。