[发明专利]等离子体处理装置和可变阻抗装置的校正方法

权利要求书

1.一种使用等离子体对被处理基板实施等离子体处理的装置，其特征在于：具备

容纳所述被处理基板的气密处理室；

向所述处理室内提供处理气体的气体提供系统；

将所述处理室内排气且将所述处理室内设定为真空的排气系统；

在所述处理室内按照相互对向的方式配置的第一及第二电极，在所述第一及第二电极间，形成将所述处理气体激励并等离子体化的RF电场；

经匹配电路连接于所述第一及第二电极的、提供RF电力的RF电源，所述匹配电路自动进行输入阻抗相对所述RF电力的匹配；

阻抗设定部，经布线连接于在所述等离子体处理中与所述等离子体电耦合的规定部件，设定作为与从所述等离子体输入到所述规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗，所述阻抗设定部可变更所述反方向阻抗的值；和

向所述阻抗设定部提供关于所述反方向阻抗设定值的控制信号的控制部。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述控制部还具备存储部，存储关于条件互异的第一及第二处理和与其对应的所述反方向阻抗的第一及第二设定值之间关系的数据，所述控制部在所述处理室内进行的处理从所述第一处理变为所述第二处理时，根据所述数据，向所述阻抗设定部提供将所述反方向阻抗从所述第一设定值变更为所述第二设定值的控制信号。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述设定值，按照使所述等离子体处理的所述被处理基板上的面内均匀性提高的方式预先设定。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述设定值按照使所述等离子体稳定的方式预先设定。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述等离子体处理装置是蚀刻装置，所述被处理基板具有形成图案的掩膜层和在其下的被蚀刻的下侧层，所述设定值，按照控制所述下侧层的加工尺寸的方式预先设定。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述阻抗设定部具备通过连续可变元件来使所述反方向阻抗连续变化的构成、及通过切换多个固定元件来使所述反方向阻抗阶段性变化的构成之一或双方。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述阻抗设定部具备显示所述设定值的功能。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述控制部或所述阻抗设定部，根据弥补所述阻抗设定部中固有误差的校正数据，在修正所述设定值后，调整所述反方向阻抗。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述RF电源经第一布线连接于所述第一电极，另一方面，所述阻抗设定部经第二布线连接于所述第二电极，所述RF分量包含具有所述RF电力的基本频率的分量。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：

所述RF电源及所述阻抗设定部经第一布线连接于所述第一电极，所述RF分量包含所述RF电力的基本频率的谐波。